[반도체레이다] 차세대 1.4나노 공정 'A14' 명칭 확정… 2027년 시범 가동
TSMC 본부의 로고 [사진=AFP 연합뉴스]
[디지털데일리 김문기기자] 세계 최대 파운드리 업체 TSMC가 2나노 이후의 차세대 공정 명칭을 'A14'로 확정하고, 오는 2027년 시범 생산을 목표로 한 구체적인 로드맵을 발표했다.
30일(현지시간) 디지타임즈(Digitimes) 등 외신에 따르면, TSMC는 인텔과 삼성전자의 거센 추격을 물리치기 위해 1.4나노급 초미세 공정인 'A14' 공정의 가동 시점을 공식화했다. TSMC는 대만 중부 과학단지(CTSP)에 약 490억 달러(약 66조원)를 투입해 새로운 팹(Fab 25)을 건설 중이며, 이 시설은 2027년 말 위험 생산을 거쳐 2028년부터 본격적인 양산 체제에 돌입할 전망이다.
A14 공정은 TSMC의 2세대 나노시트(Nanosheet) 트랜지스터 아키텍처를 기반으로 한다. 2나노 공정(N2)과 비교했을 때, 동일 전력에서 성능은 15% 향상되고 동일 성능에서 전력 소비는 최대 30%까지 절감할 수 있다. 또한 로직 밀도는 20% 이상 높아져, 더 작고 효율적인 AI 가속기 및 모바일 칩셋 제조가 가능해진다.
주목할 점은 TSMC의 차세대 노광 장비 도입 전략이다. TSMC는 A14 초기 단계에서 기존 'Low-NA EUV' 장비를 활용한 멀티 패터닝 기술을 우선 적용해 수율과 비용 효율성을 확보할 방침이다. 이후 2027년 3분기경 ASML의 차세대 'High-NA EUV' 장비를 순차적으로 도입해 기술 고도화를 이룰 계획이다. 이는 초기에 하이 나노 장비를 전면 도입하는 인텔의 공격적 행보와 대조되는 '안정형 기술 리더십' 전략으로 풀이된다.
업계에서는 이번 A14 공정이 2028년 출시될 '아이폰 20(가칭)'과 차세대 AI 서버 칩셋의 핵심 생산 기지가 될 것으로 보고 있다. 특히 삼성전자가 1.4나노 양산 시점을 2029년으로 조정한 것으로 알려진 가운데, TSMC가 2027년 시범 가동과 2028년 양산 일정을 확정 지으면서 미세 공정 선점 경쟁에서 유리한 고지를 점하게 됐다.
아울러 TSMC가 공정 명칭을 'A14'로 정의하며 옹스트롬(Angstrom) 시대의 개막을 선언한 것이라며 AI 붐으로 인해 전력 효율이 반도체 성능의 핵심 지표가 된 만큼, TSMC의 저전력 고효율 공정 로드맵은 애플, 엔비디아 등 주요 고객사들을 묶어두는 강력한 '록인(Lock-in)' 효과를 발휘할 것이라고 분석했다.
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