갤럭시 S25 FE | 제공 - 삼성전자
삼성 갤럭시 S26 시리즈의 하위형 파생 모델인 ‘갤럭시 S26 FE(Fan Edition)’ 사양 정보 일부가 온라인에 공개됐다.
6일 업계에 따르면, 최근 긱벤치 데이터베이스엔 모델 번호가 ‘SM-S741U’인 미출시 모바일 기기의 벤치마크가 등록됐다. 공개된 모델 번호로 미루어 보았을 때, 해당 기기는 삼성전자가 올 하반기 출시할 갤럭시 S26 FE로 추정된다.
이번 벤치마크에서 명시된 정보들에선 갤럭시 S26 FE의 하드웨어 사양을 미리 엿볼 수 있다. 우선 마더보드 정보를 나타내는 코드 ‘S5E9955’는 삼성전자의 자체 개발·제작 칩셋인 엑시노스 2500의 파트 넘버로, 이는 삼성 파운드리 3nm(나노미터, 10억 분의 1m) 공정을 통해 생산된다.
삼성전자의 플래그십 AP 중에서도 엑시노스 2500은 적용 사례가 극히 적은 칩이다. 개발 초기였던 2024년부터 이듬해 초까지 3nm 파운드리 수율 안정화에 어려움을 겪으면서, 당초 목표한 갤럭시 S25 시리즈 병행 탑재 계획이 무산된 영향이다.
이어 같은 해 여름 출시된 갤럭시 Z 플립 7에 엑시노스 2500이 채택되며 상용화엔 성공했으나, 이후로는 경쟁사 AP보다 현저히 떨어지는 성능과 전력 효율 탓에 삼성 폴더블폰의 상품성을 저해하는 요인으로 지목되기도 했다. 같은 세대 칩셋인 스냅드래곤 8 엘리트, 디멘시티 9400이 전작 대비 대폭 향상된 완성도를 인정받았던 것과 대비되는 평가다.
갤럭시 S26 FE(추정) 시제품 벤치마크 | 출처 - 긱벤치
이와 같은 문제는 갤럭시 S26 FE에서도 이어질 전망이다. 이번 벤치마크에서 SM-S741U는 싱글 코어 2,426점, 멀티 코어 8,004점을 기록했는데, 이는 퀄컴과 디멘시티의 현세대 칩은 물론 엑시노스 2500의 최고 점수에도 10%가량 뒤처진 수준이다.
또한, 일각에선 고부하 상황에 수반되는 과도한 스로틀링과 전력 소모 문제가 완전히 해결되었는지도 미지수라는 우려를 나타내고 있다. 올해 갤럭시 S26 시리즈 일부에 탑재된 엑시노스 2600 역시 방열 특성과 관련해서 다른 칩셋보다 열위를 드러낸 데 따른 지적이다.
부족한 메모리(램) 용량도 도마 위에 오를 것으로 보인다. 현재 전 세계 IT 업계를 타격 중인 메모리 가격 인상 영향이 크지만, 경쟁사 스마트폰들이 앞다워 12GB 이상의 램을 적용하는 것과는 달리 갤럭시 S26 FE 시제품엔 전작과 같은 8GB 램이 적용됐다. 이를 두고 플래그십 스마트폰에 걸맞지 않은 사양이라는 비판도 나오는 상황이다.
특히 삼성 플래그십 스마트폰엔 각종 AI 도구를 아우르는 갤럭시 AI 시스템이 탑재되며, 온디바이스 연산을 기반으로 제공되는 기능에는 상당한 메모리 점유율이 요구된다. 이와 같은 ‘AI 폰’ 환경에서 8GB 수준의 메모리는 실질적인 불편을 유도할 수 있다는 의견이 지배적이다.
나아가 최근 업계에선 삼성전자가 자사 보급형·중급형 스마트폰에 적용할 OLED(유기발광다이오드) 패널 1,500만 장 분량을 중국 업체인 CSOT로부터 공급받을 수 있다는 관측이 나오기도 했다. 또, MX(모바일경험) 사업부에선 삼성디스플레이의 패널보다 약 20% 저렴한 CSOT의 패널을 갤럭시 S26 FE에도 적용하는 방안을 고려 중인 것으로 알려졌다.
한편, 삼성전자는 통상 하반기에 FE 모델을 출시해 왔으며, 갤럭시 S26 FE 역시 9월에서 10월 사이에 국내외 시장에 등장할 전망이다. 단, 국내 판매 가격은 기존 94만 6,000원에서 소폭 인상되어 100만 원대에 도달할 가능성도 제기되고 있다.
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