33년 D램·낸드 개발 이끈 ‘메모리 장인’
321단 4D 낸드 등 세계 최초 기술 주도
AI 시대 대응 ‘AIN’ 제품군 개발 박차
“완성도·실행력으로 기술 리더십 지속”
SK하이닉스는 21일 서울 한국과학기술회관에서 열린 ‘2026 과학·정보통신의 날 기념식’에서 정우표 낸드개발 부문장이 과학기술훈장 도약장을 수훈했다고 밝혔다.SK하이닉스 제공
SK하이닉스는 21일 서울 한국과학기술회관에서 열린 ‘2026 과학·정보통신의 날 기념식’에서 정우표 낸드개발 부문장이 과학기술훈장 도약장을 수훈했다고 밝혔다.
이번 행사는 과학의 날과 정보통신의 날을 맞아 과학기술 및 정보통신 발전에 기여한 유공자를 포상하기 위해 마련됐다.
정 부사장은 33년간 D램과 낸드플래시(이하 낸드) 개발을 이끌며 세계 최초 기술을 다수 구현, 국내 메모리 반도체 경쟁력을 세계 최고 수준으로 끌어올린 공로를 인정받았다.
그는 경력 초기 15년 동안 D램 개발에 참여해 세계 최초 512Mb 모바일 D램 개발을 주도하며 한국이 글로벌 D램 시장 강자로 자리 잡는 데 핵심 역할을 했다. 이후 낸드 분야로 전환한 뒤 3D 2세대(32단)부터 4D 9세대(321단)에 이르기까지 8세대 연속 개발을 이끌었다.
특히 2011년 21나노 낸드, 2014년 이후 32단·48단·64단 낸드를 잇달아 세계 최초로 개발하며 2D에서 3D로의 기술 전환을 주도했다. 이 과정에서 확보한 초고속 동작 회로 및 저전력 설계 기술은 3D 낸드 확산의 기반이 됐다.
이후에도 기술 혁신은 이어졌다. 2019년 128단, 2021년 176단, 2022년 238단 낸드를 잇달아 선보이며 고성능·고집적 경쟁력을 강화했다. 2024년에는 업계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC 낸드를 세계 최초로 개발하며 기술 한계를 다시 한번 돌파했다.
정 부사장은 설계 방식 혁신에도 기여했다. 시뮬레이션 체계를 전면 개선하고 프로그래머블반도체(FPGA) 기반 검증 툴을 자체 개발해 설계 효율과 완성도를 높였으며, 이를 통해 차세대 제품 개발 기간을 단축하는 데 기여했다.
현재 그는 AI 시대 급증하는 데이터 수요에 대응하기 위해 차세대 낸드 및 응용 제품인 ‘AIN-P·B·D’ 개발과 상용화를 주도하고 있다. 또한 산학 협력을 통해 원천 기술 확보와 인재 양성에도 힘쓰고 있다.
정 부사장은 “매번 기술적인 한계를 가장 먼저 극복하고 적기에 차세대 제품을 시장에 공급할 수 있었던 원동력은 현장에서 함께 집념을 발휘해 준 동료들의 헌신과 노력 덕분이었다”며 “이번 훈장은 개인이 아닌 SK하이닉스 기술 혁신의 역사를 써 내려가고 있는 모든 구성원을 대신해 받은 것”이라고 소감을 전했다.
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