▲ 젠슨황 CEO (사진=연합뉴스)
[mdtoday = 유정민 기자] 인공지능(AI) 반도체 시장의 주도권을 쥔 엔비디아와 세계 최대 메모리 제조사 삼성전자의 협력이 파운드리와 메모리 전 영역으로 확대되며 새로운 국면을 맞이하고 있다. 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP센터에서 열린 연례 개발자 회의 'GTC 2026' 기조연설에서 삼성전자를 특별히 언급하며 양사 간의 긴밀한 파트너십을 대외적으로 확인했다.
황 CEO는 이날 추론 전용 칩을 소개하는 과정에서 "삼성이 우리를 위해 '그록(Groq)3' 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다"고 밝혔다. 그는 이어 "현재 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있으며, 삼성 측에 깊은 감사를 전한다"고 덧붙였다. 해당 칩은 엔비디아의 차세대 AI 시스템인 '베라 루빈'에 탑재될 예정이며, 올해 3분기경 본격적인 출하가 시작될 것으로 전망된다.
이번 발표로 삼성전자 파운드리 사업부가 엔비디아의 핵심 칩 생산을 담당하고 있다는 사실이 공식화됐다. 그록3 LPU는 엔비디아의 '루빈' 그래픽처리장치(GPU)와 협업하여 추론 성능과 효율성을 극대화하는 역할을 수행한다. 이로써 삼성전자는 기존 고대역폭메모리(HBM) 공급을 넘어 파운드리 영역에서도 엔비디아와의 전략적 협력 관계를 공고히 하게 됐다.
삼성전자는 같은 날 GTC 전시 현장에서 차세대 메모리인 7세대 'HBM4E'의 실물 칩과 적층용 '코어 다이' 웨이퍼를 세계 최초로 일반에 공개했다. 올 하반기 샘플 출하를 목표로 개발 중인 HBM4E는 기존 제품을 상회하는 압도적인 성능 지표를 제시하며 업계의 주목을 받았다.
삼성전자는 10나노급 6세대(1c) D램 공정 기술과 파운드리 사업부의 4나노미터(㎚) 베이스 다이 설계 역량을 결집해 HBM4E 개발에 박차를 가하고 있다. 삼성전자 관계자는 "메모리, 파운드리, 로직 설계 및 첨단 패키징 등 전 부문의 역량을 통합한 최적화 협업을 통해 제품을 개발하고 있다"고 설명했다. 이는 메모리와 파운드리를 모두 보유한 종합반도체기업(IDM)으로서의 강점을 극대화하려는 전략으로 풀이된다.
기술적 차별화를 위한 새로운 패키징 솔루션도 제시됐다. 삼성전자는 기존 열압착접합(TCB) 방식 대비 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상의 고적층을 지원하는 하이브리드구리접합(HCB) 기술을 공개했다. 이는 고성능 AI 칩에서 발생하는 발열 문제를 해결하고 적층 효율을 높이기 위한 핵심 기술로 평가받는다.
전시장 전면에는 엔비디아와의 협력을 상징하는 제품군이 대거 배치됐다. 차세대 GPU '루빈'용 HBM4를 비롯해 서버용 저전력 메모리 모듈(SOCAMM2), 기업용 6세대 SSD 'PM1763' 등이 소개됐다. 삼성전자는 이를 통해 엔비디아의 '베라 루빈' 플랫폼에 필요한 메모리와 스토리지 전 라인업을 공급할 수 있는 '토털 설루션' 역량을 강조했다.
시장 전문가들은 삼성전자가 HBM4 양산 직후 차세대 제품인 HBM4E를 조기에 공개한 점에 주목하고 있다. 이는 SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사와의 기술 격차를 부각하고 시장 주도권을 탈환하려는 의지로 해석된다. 삼성전자는 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)' 전시를 통해 자사만의 통합 제조 역량이 차세대 AI 인프라 구축의 핵심임을 시사했다.
한편, 송용호 삼성전자 AI센터장은 17일 예정된 엔비디아 특별 초청 발표에서 삼성전자 메모리 기술이 AI 인프라 혁신에 기여하는 구체적인 비전을 공유할 예정이다. 이번 GTC 2026은 삼성전자가 엔비디아의 단순 부품 공급사를 넘어 설계와 생산을 아우르는 핵심 전략 파트너로 격상되었음을 보여주는 계기가 되었다는 평가가 나온다.
메디컬투데이 유정민 기자()
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