삼성전자, GTC 2026 참가…HBM4E 칩·코어 다이 웨이퍼 최초 공개
파운드리사업부, ‘그록3’ LPU 칩 제조…젠슨 황 CEO “삼성에 감사”
젠슨 황(왼쪽) 엔비디아 최고경영자(CEO)와 이재용 삼성전자 회장이 지난해 10월 30일 서울 강남구 코엑스에서 열린 엔비디아 지포스 게이머 페스티벌에서 대화를 나누고 있다.<배경=Freepik, 인물=뉴시스, 편집=남빛하늘>
[인사이트코리아 = 남빛하늘 기자]
이재용 삼성전자 회장과 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 ‘AI 동맹’이 더욱 긴밀해지고 있다. 삼성전자는 엔비디아 AI 가속기에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 파운드리(반도체 위탁생산)까지 협력 범위를 확대했다.
업계에 따르면 삼성전자는 16일부터 19일(현지시각)까지 미국 캘리포니아 새너제이에서 열리는 ‘GTC 2026’에 참가했다. 엔비디아가 주최하는 GTC는 개발자·연구원·비즈니스 리더·AI 기업이 한자리에 모이는 세계 최대 AI·가속 컴퓨팅 콘퍼런스다.
이번 전시에서 삼성전자는 엔비디아 ‘베라 루빈’에 탑재될 HBM4(6세대) 칩과 파운드리 4나노미터(㎚) 베이스 다이 웨이퍼를 부스 전면에 배치했다. 베라 루빈은 베라 중앙처리장치(CPU)와 루빈 그래픽처리장치(GPU)를 결합한 엔비디아의 차세대 AI 가속기다.
지난달 세계 최초로 양산 출하한 삼성전자 HBM4는 경쟁사보다 한 세대 앞선 10㎚ 6세대(1c) D램 공정을 적용했으며 11.7Gbps(초당 기가비트)의 동작 속도를 구현했다. 젠슨 황은 이날 삼성전자 부스를 찾아 HBM4 코어 다이 웨이퍼에 ‘AMAZING HBM4(놀라운 HBM4)’라는 메시지와 친필 서명을 남기며 기술력을 치켜세웠다.
삼성전자는 ‘엔비디아 갤러리’도 별도로 꾸려 ▲루빈 GPU용 HBM4 ▲베라 GPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 베라 루빈과 함께 전시했다. 베라 루빈에 필요한 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 ‘메모리 토털 솔루션’ 역량과 AI 플랫폼을 함께 구축하는 양사의 협력 관계를 강조한 행보다.
HBM 이어 파운드리까지 협력
삼성전자와 엔비디아 협력은 HBM에서 그치지 않는다. 젠슨 황은 이날 GTC 2026 개막 기조연설에서 삼성전자를 ‘샤라웃(Shout-out·감사와 존경을 표현하는 힙합식 인사)’하며 삼성 파운드리사업부에 엔비디아의 새로운 추론 칩 생산을 맡겼다는 사실을 깜짝 공개했다.
그는 “삼성이 우리를 위해 그록3(Groq3) 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다”며 “삼성은 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있으며, 정말 감사하게 생각한다”고 밝혔다. 그록3 LPU는 루빈 GPU와 역할을 나눠 추론 성능과 효율성을 높이는 칩이다. 출하 예정 시점은 올해 3분기다.
젠슨 황(가운데) 엔비디아 최고경영자(CEO)가 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 황상준(왼쪽) 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 한진만(오른쪽) 파운드리 사업부장 사장과 기념촬영을 하고 있다. 제품은 삼성전자 HBM4 코어다이 웨이퍼(왼쪽)와 그록(Groq) LPU 파운드리 4나노 웨이퍼. 각 웨이퍼에는 ‘AMAZING HBM4(놀라운 HBM4)’와 ‘Groq Super FAST(최고로 빠른 그록)’라는 젠슨 황의 친필 서명이 적혀 있다.<삼성전자>
젠슨 황은 삼성전자 부스에 전시된 그록 LPU 파운드리 4㎚ 웨이퍼에 ‘Groq Super FAST(최고로 빠른 그록)’라는 문구와 친필 서명을 남기기도 했다. 삼성전자는 젠슨 황의 이번 행보로 엔비디아와 파운드리 부문도 협력하고 있다는 점을 대외적으로 부각할 수 있게 됐다.
향후 삼성전자 파운드리 사업부 실적에도 긍정적으로 작용할 전망이다. 이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 “이번 그록3 LPU 4㎚ 수주는 파운드리 흑자 전환에 결정적(인 영향을 미칠 것)”이라고 평가했다.
이 교수는 이어 “엔비디아 요청을 성공적으로 진행할 경우 다른 빅테크 기업들도 줄 서 있을 가능성이 높다”며 “단숨에 흑자 전환하는 것은 물론 TSMC와 격차를 좁힐 수 있는 아주 좋은 기회”라고 부연했다.
삼성전자는 이번 GTC 2026 전시에서 HBM4 후속인 HBM4E 실물 칩(오른쪽)과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.<삼성전자>
한편 삼성전자는 이번 전시에서 HBM4 후속인 HBM4E(7세대) 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개하며 HBM 기술력에 대한 자신감을 드러냈다. 삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
회사 관계자는 “HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반 기술 경쟁력과 파운드리 4㎚ 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 가속화하고 있다”며 “종합반도체 기업(IDM) 만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획”이라고 강조했다.
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