황상준 부사장 “HBM5부터 2나노 공정 전격 도입…그록3 평택서 생산”
GTC 2026 삼성전자 HBM4E 제품 전시 사진. 사진=삼성전자
매일일보 = 권선형 기자
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삼성전자가 폭발적으로 증가하는 인공지능(AI) 데이터센터 수요에 대응하기 위해 올해 고대역폭메모리(HBM) 생산량을 전년 대비 3배 이상 확대한다.
17일 연합뉴스에 따르면 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 지난 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아의 연례 개발자 회의 ‘GTC 2026’ 현장에서 기자들과 만나 현재 공격적인 증산 작업(램프업)이 순조롭게 진행 중이라고 밝혔다.
황 부사장은 "전체 HBM 출하량 중 HBM4가 차지하는 비중을 50% 이상으로 끌어올리는 것이 핵심 목표"라며 "공급 부족 상황에서는 프리미엄 제품에 역량을 집중하는 것이 전체 산업 측면에서 긍정적인 영향을 미친다"고 강조했다.
그는 글로벌 메모리 공급 부족 현상에 대해 전략적 파트너와 범용 제품 고객사 등을 종합적으로 판단해 최적의 물량을 배정하고 있다고 덧붙였다.
차세대 라인업의 세부 공정도 공개됐다. 황 부사장은 양산 단계인 6세대 HBM4와 후속인 7세대 HBM4E의 '베이스 다이'에는 동일한 4나노 공정이 적용되나 차차세대인 HBM5와 5E부터는 삼성 파운드리의 선단 공정인 2나노를 전격 도입할 계획이라고 밝혔다.
그는 HBM5·5E에 탑재되는 적층용 '코어 다이'는 10나노급 1c(6세대) 및 1d(7세대) 공정이 사용될 예정이라며 "원가 상승에 대한 부담은 존재하지만 HBM 제품의 성능 한계를 돌파하기 위해서는 최선단 공정 적용이 필수적"이라고 말했다.
삼성전자는 주요 고객사인 엔비디아가 신규 AI 가속기를 매년 출시하는 속도에 맞춰 HBM 신제품도 1년 단위로 시장에 내놓는 것을 목표로 삼고 있다.
젠슨 황 엔비디아 CEO가 직접 감사 인사를 전해 화제가 된 추론 전용 칩 '그록(Groq)3'의 생산지에 대해서는 삼성전자 평택 캠퍼스에서 제조된다고 황 부사장은 설명했다.
그는 해당 칩을 올해 3분기 말에서 4분기 초 사이 본격적인 양산에 돌입시키는 것을 목표로 하고 있으며 이미 시장의 기대치를 웃도는 수준의 주문 물량을 확보했다고 밝혔다.
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