1c D램·Foundry 4나노 기반 HBM4E 칩, 코어 다이 웨이퍼 최초 공개
삼성전자, Vera Rubin 플랫폼용 메모리 토털 솔루션 유일하게 공급
삼성전자 HBM4 제품(사진=삼성전자) ©팝콘뉴스
(팝콘뉴스=서한나 기자) 삼성전자가 미국 엔비디아 GTC 2026에서 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술과 AI 메모리 솔루션을 공개하며 글로벌 AI 인프라 시장 공략에 나섰다.
삼성전자는 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 캘리포니아 새너제이에서 열리는 '엔비디아 GTC 2026'에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 AI 플랫폼용 메모리 토털 솔루션을 선보였다고 17일 밝혔다.
삼성전자는 전시에서 'HBM4 Hero Wall'을 마련해 HBM4 기술과 함께 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM) 역량을 강조했다.
또 'Nvidia Gallery'를 별도로 구성해 엔비디아와의 전략적 협력을 기반으로 AI 플랫폼을 공동 구축하는 파트너십을 소개했다.
전시 공간은 ▲AI Factories(AI 데이터센터) ▲Local AI(온디바이스 AI) ▲Physical AI 등 세 개의 존으로 구성됐다. 이곳에서는 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 제품과 AI 인프라용 메모리 아키텍처가 소개됐다.
특히 삼성전자는 1c D램 공정 기반 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼를 이번 전시에서 처음 공개했다. HBM4E는 삼성의 메모리 기술과 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량, 첨단 패키징 기술을 결합한 제품으로 핀당 16Gbps 속도와 최대 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
또 차세대 패키징 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding)도 공개했다. 해당 기술은 기존 TCB(Thermal Compression Bonding) 방식 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상의 고적층 HBM 구현이 가능해 차세대 AI 반도체 성능 향상에 기여할 것으로 기대된다.
삼성전자는 이번 전시에서 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 ‘Vera Rubin’용 메모리 토털 솔루션 공급 역량도 강조했다.
삼성전자는 Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763 등을 함께 전시하며 AI 시스템에 필요한 메모리와 스토리지를 통합 공급할 수 있는 기업임을 강조했다.
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로, 삼성전자가 업계 최초로 양산을 시작한 제품이다.
또한 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼의 메인 스토리지로 활용되며, 전시장에서는 해당 SSD가 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연했다.
삼성전자는 이와 함께 AI 추론 성능과 전력 효율을 높이기 위해 Vera Rubin 플랫폼의 CMX(Context Memory eXtension) 구조에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이라고 밝혔다.
한편 행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 차세대 AI 시스템과 이를 지원하는 메모리 솔루션 전략을 소개한다.
삼성전자는 엔비디아와의 협력을 통해 AI 데이터센터와 차세대 AI 인프라 시장에서 메모리 기술 경쟁력을 강화해 나갈 계획이다. [팝콘뉴스]
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서한나 기자
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