삼성전자, 엔비디아 GTC 참가…HBM4E·AI 메모리 최초 공개

삼성전자가 미국에서 열리는 인공지능(AI) 행사에서 차세대 고대역폭메모리(HBM) 기술과 엔비디아 협력 전략을 공개하며 AI 반도체 경쟁력 강화에 나섰다.

삼성전자는 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 NVIDIA GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 AI 메모리 솔루션을 선보인다고 밝혔다.

이번 전시에서 삼성전자는 ‘HBM4 히어로 월(HBM4 Hero Wall)’을 통해 차세대 HBM 기술을 집중 소개했다. 특히 1c D램 공정과 4나노 파운드리 기술을 기반으로 개발 중인 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다.

HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원하는 차세대 AI 메모리로, 메모리 설계와 파운드리, 첨단 패키징 기술을 결합한 삼성전자 종합반도체(IDM) 역량을 강조하는 제품이다.

삼성전자는 차세대 패키징 기술도 함께 공개했다. 기존 열압착 방식(TCB) 대비 열 저항을 크게 낮춘 하이브리드 구리 본딩(HCB) 기술을 적용해 16단 이상 고적층 HBM 구현이 가능하도록 설계했다고 설명했다.

이번 행사에서는 엔비디아와의 협력도 주요 메시지로 제시됐다. 삼성전자는 별도의 ‘엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)’ 공간을 마련해 차세대 Vera Rubin 플랫폼에 적용될 메모리 솔루션을 전시했다.

이 플랫폼에는 GPU용 HBM4, CPU용 SOCAMM2 메모리 모듈, 서버용 SSD 등 다양한 삼성전자 메모리 제품이 적용될 예정이다. 삼성전자는 해당 플랫폼에 필요한 메모리와 스토리지를 모두 공급할 수 있는 ‘메모리 토털 솔루션’ 역량을 강조했다.

또 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD와 AI 데이터센터용 메모리 솔루션을 함께 전시하며 AI 인프라 시장 공략 전략도 소개했다.

행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 초청 발표자로 나서 차세대 AI 시스템을 위한 메모리 기술과 협력 비전을 발표할 예정이다.

삼성전자는 “엔비디아와의 협력을 통해 차세대 AI 인프라 구축을 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속 확대할 계획”이라고 밝혔다.

저작권자 © 비즈트리뷴

하영건 기자

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