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사회

삼성전자, HBM4E 첫 선…엔비디아에 HBM4 유일 공급

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 삼성전자 파운드리 사업부장 사장이 GTC 2026 삼성전자 부스에서 기념촬영을 했다. [사진=삼성전자] 삼성전자는 미국 새너제이에서...

삼성전자, HBM4E 첫 선…엔비디아에 HBM4 유일 공급

엔비디아 GTC 2026 현장에 마련된 삼성전자 부스. [사진=삼성전자]

삼성전자는 미국 새너제이에서 현지시간으로 16일 개막한 ‘엔비디아 GTC 2026’에 참가해 반도체 기술력을 뽐냈다. 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E의 실물을 공개하고, 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 플랫폼인 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’의 메모리·스토리지를 업계에서 유일하게 공급한다는 점을 강조했다.

삼성전자는 6세대 HBM(HBM4)부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리 로직 설계 파운드리(Foundry) 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM)으로서의 강점을 부각했다.

특히 이번 전시에서는 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있다는 설명이다.

GTC 2026의 삼성전자 부스에 HBM4E의 코어 다이 웨이퍼(왼쪽)와 실물 칩이 전시돼 있다. [사진=삼성전자]

삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

또한 삼성전자는 영상을 통해 하이브리드 본딩(HCB) 기술을 공개했다. 구리(Copper) 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술인 HCB는 열압착 본딩(TCB) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하며, 16단 이상의 고적층 HBM을 구현하는 데 유리하다.

아울러 삼성전자는 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 했다.

특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다.

(왼쪽부터) 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 삼성전자 파운드리 사업부장 사장이 GTC 2026 삼성전자 부스에서 기념촬영을 했다. [사진=삼성전자]

베라 루빈은 엔비디아가 이번 행사에서 공개한 차세대 AI 플랫폼이다. 베라 중앙처리장치(CPU), 루빈 그래픽처리장치(GPU)를 주축으로 NV링크 6 스위치, 커넥트X-9 슈퍼NIC, 블루필드-4 데이터처리장치(DPU), 스펙트럼-6 이더넷 스위치, 그록3 언어처리장치(LPU)를 통합했다.

(위쪽부터 시계방향으로) PM1763, HBM4, SOCAMM2. [사진=삼성전자]

삼성전자는 루빈 GPU용 HBM4, 베라 CPU용 SOCAMM2, 메인 스토리지용 PM1763을 전시해 엔비디아와의 협력을 강조했다. SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.

PM1763은 PCIe 6 기반 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD)로, 삼성전자는 부스에서 PM1763을 탑재한 서버로 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연했다.

이밖에 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe 5 기반 서버용 SSD인 PM1753을 공급한다는 계획이다.

서유덕 기자

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