[업다운뉴스 안지영 기자] 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 실물 칩을 처음 공개하며 인공지능(AI) 메모리 기술 경쟁력을 드러냈다.
삼성전자는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자 회의 ‘GTC 2026’ 전시관에서 차세대 HBM인 HBM4E(7세대) 실물 칩과 적층용 ‘코어 다이’ 웨이퍼를 처음 공개했다고 17일 밝혔다.
HBM4 제품 사진 [사진=삼성전자 제공]
HBM4E는 핀당 16Gbps 전송 속도와 4.0TB/s 대역폭을 목표로 개발 중이다. 이는 지난달 양산을 시작한 6세대 HBM4(13Gbps·3.3TB/s)보다 성능을 크게 끌어올린 수준이다. 삼성전자는 올 하반기 샘플 출하를 목표로 개발을 진행하고 있다.
삼성전자는 1c(10나노급 6세대) D램 공정과 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 기술을 결합해 HBM4E 개발 속도를 높이고 있다. 메모리, 파운드리, 로직 설계, 패키징을 모두 아우르는 종합반도체기업(IDM) 역량을 활용해 인공지능(AI) 메모리 경쟁력을 강화하겠다는 전략이다.
이번 전시에서는 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 ‘하이브리드 구리 접합(HCB)’ 패키징 기술도 공개했다. 기존 열압착접합(TCB) 대비 열 관리 성능을 개선해 초고적층 HBM 구현에 유리하다.
엔비디아 차세대 AI 플랫폼과의 협력도 강조했다. 삼성전자는 차세대 GPU ‘루빈’용 HBM4, CPU ‘베라’용 SOCAMM2, 기업용 SSD ‘PM1763’ 등을 전시하며 베라 루빈 플랫폼 전반의 메모리를 공급할 수 있는 ‘토털 솔루션’ 역량을 내세웠다.
송용호 삼성전자 AI센터장은 GTC에서 진행되는 엔비디아 특별 세션에서 AI 인프라를 위한 삼성전자 메모리 ‘토털 솔루션’ 전략을 발표할 예정이다.
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