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박종준 기자, 유혜린 기자
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미국 새너제이 엔비디아 GTC에 참가
HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼 최초 공개
삼성전자 HBM4 제품 사진.(사진=삼성전자 제공)
삼성전자가 미국에서 차세대 고대역메모리(HBM4E) 처음으로 공개하는 한편, 글로벌 인공지능(AI) 반도체 리더인 엔비디아와의 협업 강화를 통해 '반도체 동맹'을 한층 더 끈끈하게 다진다.
삼성전자는16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI리더십을 한층 강화한다.
삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 Hero Wall'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리 로직 설계 Foundry 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했으며, 'Nvidia Gallery'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다.
특히, 삼성전자는 'Nvidia Gallery'를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시하여, 양사의 협력을 강조했다.
이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 AI Factories(AI Data Center) Local AI(0n-device AI) Physical AI 세 개의 존으로 구성해, 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.
삼성전자 GTC 부스 사진.(사진=삼성전자 제공)
삼성전자는 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 Foundry 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다.
삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화하여 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.
삼성전자는 양사가 앞으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것이라고 강조했다.
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