4월 21일 EcoSiC 5세대 SiC MOSFET을 공개한 로옴 [사진=로옴]
[디지털데일리 고성현기자] 로옴(ROHM)이 신규 실리콘카바이드 금속산화막전계효과트랜지스터(SiC MOSFET)를 개발했다.
로옴은 최신 EcoSiC인 '제5세대 SiC 모스펫'을 개발했다고 21일 밝혔다. 이번 개발 제품은 전기차용 트랙션 인버터를 비롯한 차량용 전동 파워트레인 시스템, 인공지능(AI) 서버 전원, 데이터센터 등 산업기기용 전원에 최적화됐다.
로옴이 개발한 제5세대 제품은 소자 구조 개선과 제조 프로세스 최적화로 고온 동작시 ON 저항치를 기존 4세대와 비교해 약 30% 저감했다. 이에 따라 전기차용 트랙션 인버터 등 고온 환경에서 사용되는 응용처 내 유닛 소형화와 고출력화에 유리하다.
최근 생성형 AI와 대규모 데이터 처리가 확대되면서 전력 수요가 크게 확대되고 있다. 이로 인해 태양광 등 신재생에너지를 통한 보급 확대와 함께 부품 단위의 손실 저감이 과제가 된 상황이다. 로옴 등이 설계한 SiC는 고전력 부품에 대응하면서도 손실 저감을 줄일 수 있는 핵심 반도체로 꼽히고 있다.
로옴은 5세대 SiC 모스펫을 2025년부터 베어칩 샘플 제공에 나섰고 올해 3월 중 개발 완료됐다. 또 오는 7월부터는 이를 탑재한 디스크리트 및 모듈 샘플 제공도 개시한다.
회사 측은 "라인업 확대와 더불어 풍부한 설계 툴을 전개해 어플리케이션 설계 서포트 체제를 강화해 나갈 예정"이라고 말했다.
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