[뉴스+]젠슨 황 "삼성 파운드리 협력" 언급… 삼성·SK하이닉스, GTC서 H...

삼성, HBM4E 실물 칩 첫 공개·Groq3 LPU 3분기 출하

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이의 SAP센터에서 연례 개발자회의 'GTC 2026'의 기조연설을 하고 있다. 사진=AP/연합뉴스

삼성전자와 SK하이닉스가 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 'GTC 2026'에 나란히 참가해 AI 메모리 기술력을 선보이고 있다. 양사는 엔비디아와의 협력을 전면에 내세우며 차세대 HBM 시장 주도권 확보에 나선 가운데 이날 젠슨 황 엔비디아 CEO는 기조연설에서 삼성 파운드리 협력을 직접 언급해 업계의 관심이 집중됐다.

◇삼성·엔비디아 파운드리 동맹 가속

젠슨 황 CEO는 16일 기조연설에서 "삼성이 Groq3 LPU 칩을 생산하고 있다"며 "생산 가속화를 위해 노력해 준 데 깊이 감사한다"고 말했다. 해당 칩은 올해 3분기부터 시장에 출하될 것이라는 예정일도 공개했다.

Groq3 LPU는 대규모 병렬 연산 기반의 AI 추론용 프로세서로 GPU 대비 높은 처리 효율을 목표로 한다. 삼성전자는 4나노(SF4X) 공정으로 Groq2부터 생산해왔으며 올해 생산 물량도 확대하고 있다.

시장조사업체 트렌드포스는 "Groq-엔비디아 라이선스 이후 삼성 파운드리가 TSMC의 대안으로 부상하고 있다"고 분석했다.

◇삼성전자, HBM4E 실물 공개

삼성전자 HBM4 제품 이미지. 사진=삼성전자

삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4를 중심으로 기술력을 뽐내고 있다. 우선 삼성전자는 HBM4E 실물 칩과 4나노 공정 기반 코어 다이 웨이퍼를 공개했다.

HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 최대 초당 4TB 대역폭을 지원하며, HCB(하이브리드 구리 본딩) 패키징으로 기존 TCB 방식 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층 구현이 가능하다.

또 엔비디아 차세대 플랫폼 'Vera Rubin'에 공급되는 HBM4, SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763을 통합 공급할 수 있는 토털 솔루션 역량도 강조했다. SOCAMM2는 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.

◇SK하닉, AI 메모리 풀라인업 공개

HBM4 16단 내부 구조를 보여주는 모형 전시물. 사진=SK하이닉스

SK하이닉스는 'Spotlight on AI Memory'를 주제로 HBM4·HBM3E·SOCAMM2 등 AI 메모리 풀 라인업을 공개했다. 엔비디아와 공동 개발한 액체 냉각식 eSSD와 LPDDR5X가 탑재된 AI 슈퍼컴퓨터 'DGX Spark'도 전시했다. 또한 LPDDR6, GDDR7, 자동차용 메모리 솔루션 등 다양한 제품군도 선보였다.

최태원 SK그룹 회장과 곽노정 SK하이닉스 CEO는 행사 기간 중 글로벌 빅테크 기업들과 만나 중장기 협력 방안을 논의할 예정이다.

SK하이닉스는 "AI 기술이 발전할수록 메모리는 단순 부품을 넘어 AI 인프라 전반의 구조와 성능을 좌우하는 핵심 요소로 자리잡고 있다"며 "데이터센터부터 온디바이스에 이르기까지 AI 전 영역을 아우르는 메모리 기술 역량을 기반으로 글로벌 파트너들과 함께 AI의 미래를 만들어 나가겠다"고 밝혔다.

양성모 기자

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양성모 기자

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