17일(현지시간) 삼성전자는 미국 새너제이에서 개막한 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2026’를 통해 고대역폭메모리(HBM) 7세대인 'HBM4E' 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 공개했다. 삼성전자 HBM4. 사진=삼성전자
[주간한국 이주선 기자] 삼성전자가 인공지능(AI) 메모리반도체 리더십 탈환을 위해 시동을 걸었다. 글로벌 AI 격전지인 미국에서 세계 최초로 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’를 깜짝 공개한 것이다. 이전 세대인 HBM4 시장이 개화하기 전부터 최대 라이벌 SK하이닉스와의 경쟁이 후끈 달아오르는 양상이다.
17일(현지시간) 삼성전자는 미국 새너제이에서 개막한 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2026’를 통해 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 공개했다.
삼성전자의 HBM4E는 메모리반도체 기술과 시스템반도체 설계 역량 그리고 파운드리 등 사내 역량을 총동원해 핀당 16Gbps(초당 기가비트)의 속도와 4Tbps(초당 테라비트)의 대역폭을 지원한다.
이를 위해 삼성전자는 TC본더 대비 열 저항이 20% 이상 개선되고 칩을 16단 이상으로 쌓을 수 있는 하이브리드 본딩(HCB) 기술을 개발·적용할 방침이다.
HCB 기술은 구리 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술을 말한다. 열 저항을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리한 새로운 반도체 본딩 방식으로 평가되고 있다.
아울러 삼성전자는 이날 엔비디아의 차세대 AI 그래픽처리장치(GPU)인 ‘베라 루빈’에 탑재될 HBM4 칩, 4나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 베이스다이 웨이퍼, AI 서버용 저전력 D램 모듈인 소캠(SOCAMM)2 등도 함께 공개했다.
삼성전자는 메모리와 시스템반도체를 아우르는 종합 반도체기업(IDM)의 역량을 살려 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.
이주선 기자 leesun@hankooki.com
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