차세대 ‘HBM4’ 및 맞춤형 HBM 솔루션 공개… 엔비디아와 기술 파트너십 재확인
‘엔비디아 GTC 2026’에 참가한 SK하이닉스 전시부스 전경
SK하이닉스가 3월 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 세계 최대 AI 컨퍼런스 ‘엔비디아 GTC 2026’에 참가해 글로벌 AI 메모리 시장을 선도하는 압도적인 기술력을 선보였다.
올해 GTC는 피지컬 AI(Physical AI), 에이전틱 AI(Agentic AI), AI 팩토리 등 미래 산업의 핵심 아키텍처가 집중 조명된 가운데, SK하이닉스는 ‘스포트라이트, AI 메모리(Spotlight on AI Memory)’를 전시 콘셉트로 내세워 AI 시대를 뒷받침할 필수 메모리 솔루션들을 공개했다.
전시 부스 전면에 배치된 ‘엔비디아 협업 존(NVIDIA Collaboration Zone)’에서는 양사의 기술 파트너십이 시각적으로 강조됐다. 특히 엔비디아의 최신 솔루션인 ‘GB300’ 실물과 함께, 여기에 탑재되는 ‘HBM3E’, 그리고 차세대 메모리로 주목받는 ‘HBM4’의 내부 구조 모형이 전시되어 관람객들의 이목을 집중시켰다.
SK하이닉스는 HBM을 100만 배 확대한 구조 모형과 체험형 모형을 통해, 복잡한 체결 방식을 직관적으로 이해할 수 있게 함으로써 자사의 독보적인 적층(Stack) 기술력을 증명했다.
또한, 젠슨 황 CEO의 친필 사인이 담긴 슈퍼컴퓨터 ‘DGX Spark’와 이에 탑재된 LPDDR5X, 출시 예정인 슈퍼 칩 ‘Vera Rubin 200’용 SOCAMM2 등 엔비디아와의 전방위적 협업 결과물들이 실물로 공개됐다.
이번 전시의 또 다른 주인공은 ‘커스텀 HBM(Customized HBM)’이었다. SK하이닉스는 ‘Stream DQ’ 아키텍처를 기반으로 시스템 수준에서 성능과 효율을 극대화한 맞춤형 기술 콘셉트를 제시했다. 이는 고객사의 특정 요구사항에 최적화된 메모리를 공급할 수 있는 SK하이닉스만의 유연한 기술 역량을 보여주는 대목이다.
DRAM 및 NAND 섹션에서도 혁신 제품들이 쏟아졌다. 세계 최초 10나노급 6세대(1c) 공정이 적용된 RDIMM(64GB), 고대역폭 확보를 위한 DDR5 MRDIMM(96GB), 차세대 그래픽 메모리 GDDR7 등이 소개됐다.
또, 업계 최고 용량을 자랑하는 245TB eSSD(PS1101)를 비롯해, 거대언어모델(LLM) 로딩 시간을 획기적으로 단축한 ZUFS 4.1 등 고성능 AI 워크로드에 최적화된 스토리지 솔루션이 관람객들을 맞이했다.
전시 외에도 SK하이닉스 주요 경영진의 기술 세션 발표가 이어졌다. 도승용 부사장(DT담당)은 AI를 활용한 제조 공정 혁신 사례를 발표하며 스마트 제조 환경 구축을 위한 인프라 활용 방안을 제안했다.
문동욱 팀장(AI Platform SW)은 HBM4를 활용해 대규모 LLM 서빙 시 발생하는 대역폭 및 용량 제약 문제를 해결할 수 있는 실제 데이터를 공개해 전문가들의 높은 관심을 받았다.
SK하이닉스 관계자는 “이번 GTC 2026은 글로벌 빅테크들과의 협력 방향을 모색하고, SK하이닉스의 폭넓은 AI향 제품 포트폴리오를 알리는 중요한 계기가 됐다”며 “앞으로도 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)’로서 시장을 선도하는 기술 역량을 지속적으로 강화해나갈 것”이라고 밝혔다.
기계신문, 기계산업 뉴스채널
이은아 기자
lena@mtnews.net
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