젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 연례 개발자 콘퍼런스 GTC 2025 넷째 날인 20일(현지시간) 삼성전자 부스를 찾아 그래픽 메모리에 친필 사인을 하는 모습. 사진=연합뉴스
삼성전자가 16일(현지 시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자 행사 GTC에서 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)와 베라 루빈 플랫폼을 구현하는 메모리 토탈 솔루션을 선보였다.
삼성전자는 전시관에 'HBM4 히어로 월'을 마련해 HBM4(6세대)부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)의 강점을 부각했다.
또 '엔비디아 갤러리' 통해 인공지능(AI) 플랫폼을 함께 완성해 가는 두 회사의 전략적 파트너십을 공개했다. 이 외에도 전시 공간을 △AI 팩토리스 △로컬 AI △피지컬 AI, 3개 존으로 구성해 차세대 메모리 아키텍처를 소개했다.
송용호 삼성전자 AI센터장은 17일(현지 시간) 엔비디아의 특별 초청으로 발표에 나선다. AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다.
삼성전자는 특히 올해 GTC에서 HBM4 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음으로 공개했다. 회사는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4 개발을 가속화하고 있다.
삼성전자의 HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
삼성전자 HBM4 제품 이미지. 사진=삼성전자 제공
삼성전자는 또 영상을 통해 TCB(열압착 본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(하이브리드 본딩) 기술을 공개하며 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.
아울러 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4와 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해 차세대 칩을 구현하는 삼성전자의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다.
삼성전자는 종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화하여 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.
'엔비디아 갤러리'에선 루빈 GPU(그래픽처리장치)용 HBM4, 베라 CPU(중앙처리장치)용 소캠2, 스토리지 PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시하며 두 회사의 협력을 강조했다.
삼성전자는 소캠2 품질 검증을 완료하고 업계 처음으로 양산 출하를 시작했다. 또 베라 루빈에 새롭개 도입된 CMX 플랫폼에 PCle Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다.
또 AI 팩토리 혁신을 위해선 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적이라고 보고 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정이다. 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끈다는 방침이다.
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이보미 기자
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