삼성전자, 5월 중 주요 고객사에 샘플 공급…“주도권 이어간다”
SK하이닉스, 하반기 샘플 공급…“수율·양산성 이미 성숙 단계”
이재용(왼쪽) 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹 회장.<각사>
삼성전자와 SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리반도체(HBM4E) 시장 선점 경쟁에 돌입했다. 글로벌 빅테크들이 차세대 AI 칩에 HBM4E 탑재를 시사하면서 양사 속도전도 본격화하는 분위기다.
6일 업계에 따르면 글로벌 HBM 시장 규모는 2025년 약 55조원에서 2027년 140조원까지 성장할 전망이다. 특히 내년에는 빅테크 기업들의 차세대 제품 출시와 맞물려 HBM4E가 전체 HBM 수요의 40%가량을 차지할 것으로 예상된다.
실제로 빅테크들은 내년을 기점으로 HBM4E 적용을 예고한 상태다. 대표적으로 엔비디아는 내년 하반기 출시 목표인 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈 울트라’에 HBM4E를 탑재할 계획이다. 구글 역시 차세대 텐서처리장치(TPU)에 HBM4E 채택을 검토 중인 것으로 전해졌다.
AMD도 내년 출시 예정인 차세대 AI 가속기 ‘인스팅트 MI500’에 HBM4E를 적용할 예정이다. 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 올해 CES에서 “인스팅트 MI500은 CDNA6 아키텍처와 HBM4E를 기반으로 TSMC 2나노미터(㎚) 공정에서 생산될 예정”이라고 언급했다.
삼성·SK, HBM4E 주도권 ‘격돌’
이 같은 흐름에 발맞춰 국내 메모리 반도체 ‘투톱’인 삼성전자와 SK하이닉스도 HBM4E 개발에 속도를 내고 있다. 양사 모두 내년 공급을 목표로 잡고 시장 주도권 확보 경쟁에 본격 뛰어든 모습이다.
우선 삼성전자는 HBM4를 세계 최초로 양산·출하한 데 이어 HBM4E에서도 주도권을 확보하겠다는 전략이다. 이달 중 첫 샘플 생산을 완료한 뒤 주요 고객사에 공급할 계획이다. 경쟁사가 하반기 샘플 공급을 목표로 한 것과 비교하면 한발 앞서 있다는 평가가 나온다.
삼성전자는 지난 3월 GTC 2026 전시에서 HBM4E 실물 칩(오른쪽)과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.<삼성전자>
앞서 삼성전자는 지난 3월 열린 엔비디아 연례 최대 개발자 컨퍼런스 ‘GTC 2026’에서 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개하며 기술 경쟁력에 대한 자신감을 드러냈다. 삼성전자 HBM4E는 HBM4와 마찬가지로 마찬가지로 10㎚급 6세대(1c) D램과 자사 4㎚ 파운드리 공정이 적용된다.
삼성전자는 지난달 말 실적 발표 컨퍼런스콜에서 “HBM4 양산으로 축적한 1c㎚ 기술 경쟁력으로 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원하는 HBM4E 제품 사업 준비를 가속화한다”며 “선도적인 기술력으로 고객 수요에 최적화된 HBM 제품을 적기 준비해 시장 리더십을 이어가겠다”고 밝혔다.
이에 맞서 SK하이닉스는 올 하반기 샘플 공급을 계획하고 있다. SK하이닉스 HBM4E는 1c D램 공정이 적용될 예정이다. 기존 HBM4는 1b 공정 기반이었던 점을 고려하면 한 단계 진화한 셈이다. 10㎚급 D램 공정 기술은 1x-1y-1z-1a-1b-1c 순으로 개발된다.
SK하이닉스 역시 HBM4E 경쟁력에 대한 자신감을 내비쳤다. 김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈&마케팅 담당은 지난달 말 실적 발표 컨퍼런스콜에서 “당사의 1c㎚는 업계 최고 수준 성능을 입증했다”며 “지난해 말부터 양산을 시작해 수율 및 양산성도 이미 성숙 단계에 도달했다”고 강조했다.
이어 “이를 통해 고객에게 안정적인 성능과 물량의 HBM4E를 공급할 수 있을 것으로 기대하고 있다”며 “추가적인 기술 내재화와 고객 검증을 거쳐 HBM4E를 적기에 개발하고 우수한 양산 능력과 제품 품질을 통해 HBM 기술 리더십을 이어갈 계획”이라고 부연했다.
이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 “HBM4와 마찬가지로 HBM4E 역시 수율 확보가 핵심 경쟁력이 될 것”이라며 “수율이 안정적으로 확보돼야 고객사를 확대하고 공급 물량도 늘릴 수 있다”고 진단했다.
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