삼성, HBM4E 전격 공개…엔비디아와 AI 메모리 패권 선점 나선다

삼성전자가 16일부터 19일까지 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자 회의 ‘GTC 2026’에서 차세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4E를 최초 공개했다. 사진은 삼성전자 서초 사옥 [사진=삼성전자]

［뉴시안= 이태영 기자］삼성전자가 16일부터 19일까지 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 연례 개발자 회의 ‘GTC 2026’에서 차세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4E를 최초 공개하며 글로벌 AI 메모리 시장에서 리더십을 강화했다.

이번 전시에서는 HBM4E 실물 칩과 적층용 ‘코어 다이’ 웨이퍼를 공개, 핀당 16Gbps 전송 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원하는 성능을 선보였다. 이는 지난해 양산한 6세대 HBM4(13Gbps, 3.3TB/s)를 크게 웃도는 수치로, 메모리, 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술 등 삼성전자의 종합 역량이 결집된 결과다.

삼성전자는 열과 압력으로 쌓은 칩을 연결하는 열압착접합(TCB) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 하이브리드 구리 접합(HCB) 기술도 공개하며 패키징 경쟁력을 부각했다. 행사장에는 ‘HBM4 히어로 월(Hero Wall)’을 설치해 HBM4E 개발 역량과 종합반도체기업(IDM)으로서의 강점을 강조했다.

또한 삼성전자는 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 베라 루빈(Vera Rubin)에 필요한 모든 메모리와 스토리지를 공급할 수 있는 토털 솔루션 역량을 전면에 내세웠다. 루빈 GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2 서버용 저전력 메모리 모듈, 기업용 SSD PM1763 등 플랫폼 전용 제품을 전시하며 양사 협력 관계를 강조했다. 추론 성능과 전력 효율 향상을 위해 CMX 기반 PCIe Gen5 SSD PM1753도 공급할 계획이다.

엔비디아 젠슨 황 CEO는 GTC 기조연설에서 “삼성이 우리를 위해 Groq3 LPU 칩을 제조하고 있다”며 생산 확대에 감사를 표했다. Groq3 LPU는 Rubin GPU와 함께 AI 추론 성능을 높이는 핵심 칩으로, 삼성전자의 파운드리 부문 생산임이 공식 확인됐다.

삼성전자 송용호 AI센터장은 17일 엔비디아 특별 초청 발표에서 베라 루빈 플랫폼과 연계한 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 공개할 예정이다. 삼성전자는 HBM4E 샘플 출하를 올 하반기 시작하며, HBM4 양산 경험과 4나노 베이스 다이 설계 역량을 기반으로 차세대 HBM 시장 공략을 가속화한다.

삼성전자 관계자는 “AI 팩토리 혁신과 글로벌 AI 시스템 경쟁력 확보를 위해 베라 루빈과 같은 강력한 플랫폼을 지원하는 고성능 메모리 솔루션 공급을 지속할 것”이라며, “엔비디아와 협력을 통해 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 선도하겠다”고 강조했다.

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이태영 기자

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