DUV 한계 뚫은 화웨이 '로직폴딩'… 트랜지스터 밀도 격차 좁혔다
기린 9050, 3D 하이브리드 본딩 도입… 공정 한계 우회하며 선단 칩 추격
램리서치 공동 연구 주도한 다보 박사 USTC 석좌교수 행… 소부장 잠식 비상
TSMC '3나노 천재'도 중국 복귀… 삼성·SK 후공정 흔들 변수 부상
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화웨이가 극자외선(EUV) 노광장비 없이 3차원(3D) 수직 적층 설계로 애플 최신 프로세서를 추격하는 기술 혁신을 달성했다. 이와 동시에 대만 TSMC의 일본 3나노미터(nm) 공정 장비·재료 최적화를 주도한 석학까지 중국 학계로 복귀했다. 이미지=제미나이3
화웨이가 극자외선
(EUV)
노광장비 없이
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