본문 바로가기
사회

SK하이닉스, 美 첫 낸드 팹 뉴욕주 ‘마시나노센터’ 유력…AI 메모리 새판 짠다[biz-플러스]

의 낸드플래시 전문 손자회사 솔리다임이 미국 뉴욕주 오나이다카운티의 산업단지 ‘마시나노센터’에 최대 130조 원을 투자해 낸드 생산 공장을 건설할 것으로 알려졌다. 미국에 첫 낸드 팹을 신설해 인공지능(AI) 데이터센터 붐으로 팽창하는 첨단 낸드 시장의 패권을 쥔다는 전략이다.

SK하이닉스가 나스닥 ADR 거래를 개시한 올 7월 10일(현지시간) 최태원 SK그룹 회장 등 주요 경영진이 미국 뉴욕 타임스퀘어 나스닥 타워 앞에서 기념 촬영을 하고 있다. 로이터연합뉴스

SK하이닉스(000660)

의 낸드플래시 전문 손자회사 솔리다임이 미국 뉴욕주 오나이다카운티의 산업단지 ‘마시나노센터’에 최대 130조 원을 투자해 낸드 생산 공장을 건설할 것으로 알려졌다. 미국에 첫 낸드 팹을 신설해 인공지능(AI) 데이터센터 붐으로 팽창하는 첨단 낸드 시장의 패권을 쥔다는 전략이다.

3일 업계와 뉴욕주에 따르면 SK하이닉스와 솔리다임은 첫 미국 낸드 팹 후보지로 뉴욕주 마시나노센터를 사실상 낙점하고 관계기관들과 투자 조건을 조율하고 있다. 업계 고위 관계자는 “마시나노센터를 유력 후보지로 놓고 협상 중”이라며 “구체적인 투자 규모와 착공 시점, 투자 집행 계획은 협의 결과에 따라 달라질 것”이라고 말했다.

마시나노센터 개발 담당자인 팀 피츠제럴드 모호크밸리 경제개발기관 수석부사장은 서울경제신문에 “오나이다카운티 및 뉴욕주 정부와 마시나노센터에 ‘메이저 기업’을 유치하기 위한 협상에 참여하고 있다”며 솔리다임의 투자 계획을 확인했다.

마시나노센터는 434에이커(175만 6336㎡) 규모로 축구장 246개에 달하는 부지에 반도체 공장을 위한 전력과 용수 인프라를 갖추고 있다. 추가 개발이 가능한 부지도 127에이커에 달한다. 미 마이크론이 D램 생산 거점을 조성하는 뉴욕주 클레이와 차로 약 1시간 거리로, 반도체 공급망 구축과 인력 확보에도 유리하다.

업계에 따르면 솔리다임은 마시나노센터에 12인치 웨이퍼 기준 월 10만 장의 생산능력을 갖춘 낸드 팹 1기를 우선 완공하고 2기까지 늘릴 예정이다. 낸드 팹 1기당 투자비가 400억~500억 달러여서 최대 1000억 달러(약 133조 원)의 투자를 예상하고 있다. 뉴욕주는 솔리다임의 낸드 팹 부지 조성에만 최대 5000만 달러 지원을 검토 중이다.

SK하이닉스는 이와 관련해 “솔리다임의 미국 팹 건설은 검토 중인 사안으로 확정된 것은 없다”고 밝혔다.

韓·美·中·日 ‘춘추전국’ 낸드 시장

SK하이닉스, 뉴욕 팹 통해 패권 노려

솔리다임이 미국 첫 낸드플래시 공장을 짓기 위해 협상하고 있는 뉴욕주 오네이다 카운티 ‘마시 나노센터’ 2구역(Parcel 2) 전경. 마시 나노센터 홈페이지

SK하이닉스는 미국 뉴욕주에 웨이퍼 기준 월 10만 장 규모의 낸드플래시 생산시설을 구축해 인공지능(AI) 산업 확산으로 재편되는 낸드플래시 시장에서도 주도권을 거머쥔다는 구상이다. 고대역폭메모리(HBM)에서 확보한 경쟁력을 고대역폭플래시(HBF) 등 차세대 AI 저장장치로 확대하고 한국·미국·중국을 아우르는 생산 체제를 구축해 사업 안정성을 강화하는 전략이다.

최근 AI 산업은 에이전틱 AI 확산으로 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 낸드 수요가 급증하고 있다. AI 에이전트가 복잡한 작업과 긴 대화를 처리할수록 이전 연산의 맥락을 유지하는 ‘KV 캐시’ 데이터가 급증한다. 엔비디아 등 AI 가속기를 만드는 기업들도 HBM이나 D램에 임시 보관하던 일부 데이터를 대용량 낸드 기반 eSSD로 옮기는 기술을 선보이고 있다. 낸드가 AI 가속기의 단순한 보조 저장장치를 넘어 AI 데이터센터의 성능과 비용을 좌우하는 요소로 부상한 것이다.

현재 낸드 시장은 절대 강자가 없다. 카운터포인트리서치에 따르면 올 2분기 글로벌 낸드 시장 점유율은 삼성전자 28%, SK하이닉스 19%, 마이크론 15%, 중국 YMTC와 일본 키옥시아 각각 14%, 샌디스크 11%다. SK하이닉스는 삼성전자에 9%포인트 뒤져 있지만 후발 업체들의 점유율도 두 자릿수여서 기술 개발과 증설 속도에 따라 순위가 달라질 수 있다.

업계에서는 D램이 적층형 HBM으로 진화했듯 낸드도 HBF 형태로 AI 가속기에 적용될 것으로 예상한다. 이에 맞춰 SK하이닉스는 청주 팹을 HBF 생산 거점으로 재편하고 있다.

0416A03 솔리다임 미국 낸드팹 추진 현황 16판 수정1

솔리다임의 뉴욕 팹이 건설되면 SK하이닉스의 HBF 전략이 한층 탄력 받을 것으로 전망된다. 특히 2029년 가동을 목표로 건설 중인 인디애나주 웨스트라피엣의 첨단 패키징 및 연구개발(R&D) 시설과 연계할 가능성이 주목된다. SK하이닉스가 청주 팹에 이어 뉴욕 팹을 AI 낸드 시장 선점을 위한 교두보로 삼을 수 있다는 분석이 나온다.

HBF 역시 실리콘관통전극(TSV) 등 수직 적층 기술을 활용하는 만큼 인디애나의 공정 역량을 접목할 수 있다. 양산과 패키징·R&D를 미국에서 일원화하면 현지 빅테크와 제품 공동 개발 및 공급에서 유리한 고지를 점할 수 있다.

SK하이닉스는 미국뿐 아니라 한국과 중국을 아우르는 생산기지 다변화를 통해 탄탄한 사업 안정성을 확보할 것으로 보인다. 회사는 지난 8월 청주 M17 공장에 총 80조 원을 투자해 낸드 생산능력 확대에 나서기로 한 바 있다.

업계에서는 SK하이닉스가 솔리다임의 뉴욕 팹 투자와 연계해 장비 수출 제한으로 증설에 어려움을 겪는 중국 다롄 공장의 문제를 해결할 것이라는 기대도 내놓고 있다. 12인치 웨이퍼 기준 월 5만 장으로 예상되는 솔리다임의 다롄 2공장 증설과 뉴욕 팹(20만 장), SK하이닉스의 청주 M17 팹(10만 장)이 완공되면 총 생산능력이 월 50만 장을 넘어 낸드 시장을 주도할 수 있다.

미국 캘리포니아주 새크라멘토카운티 랜초코도바시에 위치한 솔리다임 글로벌 연구개발(R&D) 캠퍼스. 솔리다임

솔리다임의 첫 미국 팹이 들어설 뉴욕주도 기반 시설 확충에 적극 나서고 있다. 현지 오나이다카운티에 따르면 마시 나노센터에는 이미 월 10만 장 규모의 낸드 공장을 건설할 수 있는 약 100만 제곱피트(9만 2903㎡)의 공간이 마련돼 있다. 115㎸의 이중 송전선로와 전용 변전소에 400㎿(메가와트)급 예비 전력도 확보됐다.

지역 당국도 솔리다임 팹 유치를 위한 부지 정비에 적극적으로 나서고 있다. 모호크밸리 EDGE는 뉴욕주의 요청을 받아 마시 나노센터 2구역(Parcel 2)에 FAST NY(Focused Attraction of Shovel-Ready Tracts New York) 지원금 3500만~5000만 달러를 추가 신청할 준비를 하고 있다. FAST NY는 대규모 기업과 첨단 제조 공장을 유치하기 위해 산업 부지를 즉시 개발 가능한 상태(Shovel-Ready)로 조성하고 자금을 지원하는 제도다. 이와 관련해 팀 피츠제럴드 모호크밸리 EDGE 수석부사장은 본지에 “마시 나노센터를 미국 내 가장 높은 수준의 즉시 개발 가능 반도체 부지 중 하나로 조성해 왔다”며 “토공과 평탄화 작업으로 곧바로 공장을 건설할 수 있게 준비할 것”이라고 말했다. 이어 “엔지니어링 컨설팅 회사와 함께 보조금 신청과 관련된 사업 범위와 예산을 최종 확정하기 위한 작업을 진행하고 있다”고 설명했다.

지원안은 이달 20일쯤 윤곽이 나올 것으로 전망돼 이르면 이달 중 투자 규모가 드러날 수 있다. SK하이닉스는 지난달 29일 솔리다임의 미국 낸드 공장 투자와 관련해 구체적 내용이 확정되거나 1개월 이내에 재공시하겠다고 밝혔다.

IPO 중단에 자금 조달 변수

美 정부 지원금 혜택 전망도

솔리다임의 낸드플래시 기반 솔리드스테이트드라이브(SSD). 솔리다임

일각에서는 솔리다임의 뉴욕 팹 투자 결정이 자금 조달 때문에 지연되고 있다는 분석도 나온다. 솔리다임은 미국 기업공개(IPO) 계획을 철회하면서 낸드 팹 투자를 위한 자금을 다른 방식으로 확보해야 한다. 업계는 역대 최대 실적을 기록하며 114조 원의 현금을 쌓은 SK하이닉스의 직접 출자와 외부 차입 등을 활용할 것이라고 내다보고 있다. SK하이닉스가 영업현금흐름을 활용해 솔리다임에 단계적으로 자금을 투입하고 현지 법인이 회사채 발행이나 금융권 대출로 추가 자금을 확보하는 구조다.

미국 반도체 투자 세액공제와 뉴욕주 인센티브를 활용해 실질적인 투자 부담을 낮추는 방안도 거론된다. 업계 관계자는 “미국 행정부와 뉴욕주정부 등과 협상에 따라 지원금이 달라질 것”이라며 “대규모 투자 부담을 분산하기 위해 공장 건설과 장비 도입을 순차적으로 진행할 가능성도 있다”고 설명했다.

관건은 자금 조달이다. 솔리다임이 미국 기업공개(IPO) 계획을 철회하면서 SK하이닉스의 직접 출자와 외부 차입 등을 조합하는 방안이 거론된다. 미국 반도체 투자 세액공제와 뉴욕주 인센티브를 활용하고 공장 건설·장비 도입을 단계적으로 진행해 부담을 분산할 가능성도 있다.

업계 관계자는 “미국 행정부와 뉴욕주 정부 등과의 협상에 따라 지원금이 달라질 것”이라며 “대규모 투자 부담을 분산하기 위해 공장 건설과 장비 도입을 순차적으로 진행할 가능성도 있다”고 설명했다.

SK하이닉스, 오하이오 인텔팹서 D램 생산 검토

인디애나·뉴욕 잇는 ‘메모리 美 삼각축’ 구상

인텔의 미국 오하이오주 공장 부지. 반도체 공장(팹) 8개를 지을 수 있는 대규모 단지다. 인텔

SK하이닉스가 자회사 솔리다임을 통해 미국 뉴욕주에 낸드플래시 공장 신설을 추진하는 것과 함께 인텔이 오하이오주에 건설 중인 반도체 공장을 활용해 D램을 생산하는 방안도 검토하는 것으로 알려졌다. 미국 내 생산기지 확충을 통해 D램과 낸드플래시를 아우르는 인공지능(AI)용 메모리 공급망을 구축하려는 구상으로 풀이된다.

3일 반도체 업계와 외신에 따르면 SK하이닉스는 인텔의 오하이오주 뉴올버니 공장 일부를 임차하거나 인텔 및 미국 주요 클라우드 기업과 합작법인을 설립하는 방안을 논의하고 있다.

실제로 파운드리(반도체 위탁 생산) 팹으로 알려진 인텔의 오하이오 공장은 메모리반도체를 생산할 수 있는 허가도 이미 받은 것으로 파악됐다. 본지가 확인한 미 연방관보에 따르면 미 상무부 산하 외국무역지역위원회(FTZ Board)는 2023년 인텔이 뉴올버니 사업장에서 신고한 생산 활동을 승인했다. 신고된 완제품 목록에는 반도체 프로세서뿐 아니라 ‘전자식 메모리 회로(electronic memory circuits)’도 포함됐다. 오하이오 팹에서 메모리반도체를 생산할 수 있다는 뜻이다.

인텔의 오하이오 공장은 자체 프로세서 등 고성능 칩을 생산하고 외부 고객사의 반도체를 위탁 생산하는 시설로 추진됐다. 하지만 2025년 엔비디아·애플·AMD 등 주요 고객사들이 대만 TSMC에 반도체 위탁 생산을 맡기자 공급처 확보에 어려움을 겪은 데다 미 정부의 보조금 지급도 지연되면서 재무 부담이 커졌다. 이에 따라 제1공장은 준공 계획을 2025년에서 2030년으로, 가동 시점을 2030~2031년으로 연기한 바 있다.

이런 상황에서 SK하이닉스와 전략적 협력 관계를 맺으면 인텔의 오하이오 공장은 건설에 속도가 붙는 계기가 될 수 있다. 양 사가 협력하면 인텔은 투자 부담을 줄일 수 있고 SK하이닉스는 기존 공장 건물과 전력·용수 등 기반 시설을 활용해 신규 공장 건설에 필요한 시간과 비용을 줄일 수 있다.

SK하이닉스가 인텔의 오하이오 공장을 활용하게 되면 미국 내 첫 D램 전공정 팹을 확보하게 된다. 여기에 2029년 양산을 목표로 건설 중인 인디애나주 고대역폭메모리(HBM) 후공정 시설과 자회사 솔리다임이 추진 중인 뉴욕주 낸드플래시 공장까지 더해지면 미국 중서부와 북동부를 아우르는 메모리 생산 네트워크가 형성될 수 있다.

SK하이닉스가 이 같은 생산 기반을 구축하면 엔비디아와 구글 등 현지 빅테크의 AI 메모리 수요에 밀착 대응하고 공급망 안정성과 고객 협상력을 높일 수 있다는 분석이다. 미국의 반도체 공급망 재편과 보호무역주의 강화에 대응하는 전략적 효과도 기대된다.

다만 SK하이닉스와 인텔이 협업해 실제 D램 양산으로 이어지기까지는 넘어야 할 산이 적지 않다는 분석도 나온다. 인텔이 추진해온 로직 반도체와 SK하이닉스의 D램 생산라인은 공정과 장비 구성이 달라 추가 설비투자와 생산라인 재설계가 필요할 수 있기 때문이다.

특히 미국의 높은 생산 비용과 신규 D램 설비의 투자 효율성을 고려하면 설비투자비를 누가 부담할지가 관건이다. 이 때문에 오하이오 공장 투자 여부가 미 빅테크와 SK하이닉스 간 메모리 장기 공급계약(LTA)의 기간과 규모에 달려 있다는 분석도 나온다.

SK하이닉스는 최근 기존 계약과 고객사 협의 물량을 합산하면 2029년까지 D램과 HBM이 사실상 완판된 상황이라고 밝혔다. 오하이오 공장에서 실제 생산이 이뤄지는 시점은 그 이후가 될 가능성이 큰 만큼 빅테크 고객사의 LTA 추이가 투자 결정의 핵심 변수가 될 것으로 보인다.

SK하이닉스 관계자는 이에 대해 “인텔과의 협력이나 미국 내 D램 생산과 관련해 구체적으로 확인해 줄 수 있는 사항은 없다”고 말했다.

이 기사 공유하기
페이스북X

이 기사를 추천합니다

i

댓글

0

후 댓글을 작성할 수 있습니다.

아직 댓글이 없습니다 이 기사에 첫 의견을 남겨보세요.

댓글 수정