황 CEO “삼성, LPU 칩 제조”
전시장서 “삼성 세계 최고” 강조
삼성, HBM4E 실물 최초 공개
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이의 SAP센터에서 연례 개발자회의 ‘GTC 2026’의 기조연설을 하고 있다. (출처: 연합뉴스)
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 연례 개발자 행사인 ‘GTC 2026’ 무대에서 삼성전자를 직접 언급하며 감사 인사를 전하면서 양사 협력 관계가 다시 한번 부각됐다. 특히 삼성전자의 파운드리(반도체 수탁생산) 사업부가 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 칩 생산에 참여하고 있다는 점이 공개되며 협력 범위가 한층 넓어진 것으로 확인됐다.
황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 소재 SAP센터에서 열린 기조연설에서 추론 전용 칩을 소개하며 “삼성이 우리를 위해 ‘그록(Groq)3’ 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다”며 “지금 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다. 삼성에게 정말 감사드린다”고 밝혔다.
그는 해당 칩이 엔비디아의 AI 칩 ‘베라 루빈’ 시스템에 탑재될 예정이라며 “올해 하반기, 아마 3분기께 출하가 시작될 것”이라고 말했다.
그록3 LPU는 엔비디아의 ‘루빈’ 그래픽처리장치(GPU)와 역할을 분담해 추론 성능과 효율성을 높이기 위해 설계된 칩이다. 대규모 연산은 루빈이 담당하고, 실시간 토큰 생성과 같은 초저지연 작업은 LPU가 맡아 처리량을 확대한다. 거대언어모델(LLM)이 생성한 데이터를 실제 서비스에 적용하는 과정에서 처리 속도와 전력 효율을 동시에 개선하는 데 초점이 맞춰져 있다.
황 CEO의 이번 발언을 통해 삼성전자의 파운드리 사업부가 해당 칩을 생산하고 있다는 사실도 공식적으로 확인됐다. 삼성전자는 그동안 엔비디아의 GPU에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM)을 공급해 왔으며, 이번에는 파운드리 영역까지 협력을 확대하면서 반도체 전반에서 협력 관계를 강화하게 됐다.
삼성전자 GTC 전시 제품 3종(HBM4, SOCAMM2, PM1763). (제공: 삼성전자) ⓒ천지일보 2026.03.17.
삼성전자 HBM4E 전시. (제공: 삼성전자) ⓒ천지일보 2026.03.17.
삼성전자는 이날 행사장 전시를 통해 협력 구조를 강조했다. 엔비디아의 차세대 플랫폼 ‘베라 루빈’과 함께 해당 시스템에 적용되는 LPU 구조를 공개하며 기술적 연계를 부각했다.
그록 LPU는 일반적인 시스템온칩(SoC)과 달리 대형 칩 64개를 병렬로 구성한 구조를 갖는다. 또한 칩 내부에 초고속, 저지연 특성을 가진 에스램(SRAM) 비중을 크게 높여 데이터 이동을 줄이고 추론 성능을 높인 점도 특징이다.
한진만 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “그록 LPU 시스템에는 총 64개의 LPU 칩이 적용된다”며 “이 구조 덕분에 챗봇과 대화할 때 이전 질문까지 기억하며 답하는 데 걸리는 시간이 크게 줄어든다”고 설명했다. 그러면서 “칩 면적의 80%가 S램이라서 데이터 이동이 줄고 추론 속도를 크게 향상시킬 수 있다”고 덧붙였다.
이와 함께 삼성전자는 차세대 HBM인 ‘HBM4E’ 실물 칩과 적층용 칩인 ‘코어 다이’ 웨이퍼를 처음 공개했다. 올 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 최대 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다. 이는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작 HBM4의 13Gbps 전송 속도와 3.3TB/s 대역폭을 뛰어넘는 성능을 갖췄다.
삼성전자 GTC 부스 사진. (제공: 삼성전자) ⓒ천지일보 2026.03.17.
삼성전자는 HBM4 양산을 통해 확보한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리의 4㎚(나노미터) 베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품) 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 추진하고 있다.
특히 HBM4 양산 직후 HBM4E를 공개한 것은 SK하이닉스나 마이크론 등 경쟁사와의 기술 격차를 강조하기 위한 전략으로 풀이된다. 전시관 내 ‘HBM4 히어로 월’을 통해 종합반도체기업(IDM) 구조의 강점을 전면에 내세운 것도 같은 맥락이다.
패키징 기술도 함께 선보였다. 기존 열압착접합(TCB) 방식 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 적층을 지원하는 하이브리드구리접합(HCB) 기술을 영상을 통해 공개했다.
엔비디아 젠슨 황 CEO가 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있는 모습. 사진 왼쪽부터 황상준 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 파운드리 사업부장 사장. 제품은 사진 왼쪽부터 삼성전자 HBM4 코어다이 웨이퍼와 그록(Groq) LPU 파운드리 4나노 웨이퍼. 각 웨이퍼에는 ‘AMAZING HBM4!’와 ‘Groq Super FAST’라는 젠슨 황 CEO의 친필 서명이 적혀있다. (제공: 삼성전자) ⓒ천지일보 2026.03.17.
이 같은 협력과 기술 연계는 현장에서도 상징적으로 드러났다. 젠슨 황 CEO는 이날 삼성전자 전시장을 찾아 조상연 DSA 총괄 부사장과 만나 양사 협력에 대해 “훌륭한 파트너십”이라며 “삼성은 세계 최고”라고 강조했다.
이어 조 부사장은 황 CEO에게 최근 양산을 시작한 HBM4의 코어 다이를 내보이며 “이것이 현존하는 세계 최고의 HBM4”라고 소개하자, 황 CEO는 “승인해야겠습니다. 승인이 필요하신가요?”라고 물으며 제품에 서명했다.
그는 이어 그록 칩의 웨이퍼와 베라 루빈 플랫폼에도 연달아 서명했다. HBM4 코어 다이에는 ‘어메이징 HBM4!’라는 글귀를 새겼고, 그록 칩 웨이퍼에는 ‘그록 슈퍼 패스트’라고도 썼다.
황 CEO는 서명을 마친 뒤 “가자(Go), 삼성”이라고 외치며 “다음이 다가오고 있다. 아이디어가 더 많이 생겼다”고 말하며 전시장을 떠났다.
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김정필 기자
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