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사회

인텔, 19마이크로미터 초박형 GaN'으로 AI 전력 병목 뚫는다…삼성·TSMC...

이종 물질인 GaN과 실리콘을 한 웨이퍼에 구현하는 공정은 난도가 매우 높고, TSMC와 삼성전자 역시 첨단 패키징(CoWos, I-Cube 등) 기술을 고도화하고 있어, 인텔이 실제 양산에서 어느 정도의 가격 경쟁력을 확보할지가...

인텔, 19마이크로미터 초박형 GaN'으로 AI 전력 병목 뚫는다…삼성·TSMC...

실리콘 한계 넘은 하이브리드 칩렛 공개…데이터센터 전력 손실 획기적 감축’, 수율과 비용 한계도

시스템 파운드리 입지 강화 및 PSU 소형화 가속…AI 데이터센터 에너지 혁명 이끄나

인텔, 19마이크로미터 초박형 GaN'으로 AI 전력 병목 뚫는다…삼성·TSMC에 패키징에 도전

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에너지 효율이 반도체 패권 가른다인공지능(AI) 데이터센터의 고질적인 문제인 '전력 과부하'를 해결할 게임 체인저가 등장했다. 인텔은 두께가 19마이크로미터(㎛)에 불과한 세계 최박형 질화갈륨(GaN) 전력 칩렛(Chiplet) 기술을 공개하며 차세대 주도권 확보에 나섰다. 이미지=제미나이3

에너지 효율이 반도체 패권 가른다인공지능

(AI)

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