미 OCP 글로벌 서밋서 기술 시연
용량 키우고 데이터 관리 효율 개선
삼성전자가 인공지능(AI) 인프라 성능을 높이기 위한 차세대 메모리 기술 개발 전략을 공개했다. 고성능·맞춤형 고대역폭메모리(HBM)는 물론, 메모리 용량 확장을 위한 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반 기술, 데이터 저장능력을 끌어올린 차세대 솔리드스테이트드라이브(SSD) 기술을 강화한다는 계획이다.
삼성전자는 12일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이컨벤션센터에서 열린 ‘OCP(오픈컴퓨트프로젝트) 글로벌 서밋’에서 차세대 AI 메모리·스토리지 기술 전략과 글로벌 파트너들과의 협업 성과를 공개했다.
심호준 삼성전자 DS부문 메모리사업부 AE팀 상무는 이날 주제발표에서 AI 인프라 요구에 대응하기 위한 세 가지 기술 방향으로 ‘속도, 메모리 확장성, 데이터 영속성’을 제시했다.
AI 모델 대형화와 추론 확대로 AI 시스템의 성능을 높이려면 메모리 대역폭뿐 아니라 용량 확장과 데이터 저장·관리 기술이 중요해지는 데 따른 것이다.
삼성전자는 속도 면에서는 8세대 HBM(HBM5)과 커스텀 HBM 등 차세대 메모리 기술을 통해 데이터 처리 속도와 연산 효율을 높이겠다고 했다. 메모리 확장성과 관련해선 CMM-D와 CXL 기반 기술을 활용해 용량 확장과 데이터 관리 효율 개선에 초점을 맞추기로 했다.
OCP 글로벌 서밋은 글로벌 정보기술(IT)·반도체·서버·데이터센터 기업들이 참여해 개방형 하드웨어 기술과 표준화, AI 인프라 혁신 방향을 논의하는 자리다. 삼성전자는 이번 행사에서 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 솔루션을 공동 시연했다. CMM-D 기반 메모리 풀링 기술을 통해 여러 시스템에서 메모리 자원을 효율적으로 활용하고, AI 환경에 필요한 메모리 용량을 유연하게 확보하는 방안도 선보였다.
또 차세대 HBM 제품과 2나노 GAA(게이트 올 어라운드) 웨이퍼, AI 추론 전용 칩인 그록(Groq) 언어처리장치(LPU) 웨이퍼와 엔비디아의 그록3 LPX 시스템을 전시하며 메모리부터 파운드리까지 아우르는 기술력을 과시했다.
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