삼성전자 HBM4 제품 사진.사진/삼성전자
삼성전자는 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에서 차세대 HBM4E 기술력과 베라루빈 메모리 토털 솔루션을 선보인다.
삼성전자는 이번 전시 'HBM4 Hero Wall'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리 로직 설계와 파운드리를 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다고 설명했다. 아울러 'Nvidia Gallery'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양사의 전략적 파트너십을 강조했다.
삼성전자는 전시 공간을 AI Factories(AI Data Center)·Local AI(0n-device AI)·Physical AI 세 개의 존으로 구성했다. 현장에선 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.
삼성전자는 또 "HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 Foundry 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있다"며 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.
삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 간 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개했다. 차세대 HBM을 위한 패키징 기술 경쟁력을 강조한 것이다.
또 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각할 계획이다.
아울러 'Nvidia Gallery'를 별도로 구성해 ▲루빈 GPU용 HBM4 ▲베라 CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 베라루빈 플랫폼과 함께 전시하여, 양사의 협력을 강조했다.
삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.
이와 함께 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다. 부스 내 AI Factories 존에서 제품을 확인할 수 있다.
삼성전자 관계자는 "AI 팩토리 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적"이라며 "이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정"이라고 했다. 이어 "엔비디아와의 협력을 바탕으로 향후에도 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것"이라고 덧붙였다.
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강태혁 기자
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