1c D램·파운드리 4나노 기반 HBM4E 실물·코어 다이 웨이퍼 최초 공개·HCB로 열저항↓·핀당 16Gbps·대역폭 4.0TB/s 지원
삼성전자 HBM4 제품 사진
삼성전자가 3월 16일(현지시간)부터 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션 역량을 전면에 내세우며 글로벌 AI 인프라 리더십을 공고히했다.
삼성전자는 전시 공간의 중심에 ‘HBM4 Hero Wall’을 배치해 HBM4부터 메모리 설계, 로직 설계, 파운드리 4나노 기반 코어 다이, 첨단 패키징까지 아우르는 IDM(종합반도체기업) 역량을 강조했다.
특히 1c D램 공정 기반의 HBM4E 실물 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 최초 공개해 업계의 이목을 끌었다.
회사 측은 HBM4E가 핀당 16Gbps 속도와 총 대역폭 4.0TB/s를 목표로 설계됐으며, 차세대 본딩 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding)를 적용해 기존 TCB 대비 열저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상의 고적층 구현이 가능하다고 설명했다. 이는 고대역폭·저전력 AI 워크로드에서 안정적 성능을 뒷받침하는 패키징 경쟁력으로 풀이된다.
또한 삼성전자는 엔비디아 ‘Nvidia Gallery’를 통해 Vera Rubin 플랫폼에 탑재될 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763 등 핵심 메모리·스토리지 라인업을 한꺼번에 전시하며 “전 세계에서 유일하게 플랫폼 전반의 메모리 솔루션을 적기에 공급할 수 있다”는 입장을 분명히 했다.
삼성전자 SOCAMM2 제품 사진
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버 모듈로 품질 검증을 마치고 업계 최초 양산 출하를 시작했으며, PM1763(PCIe Gen6) 탑재 서버를 통해 엔비디아의 SCADA 워크로드 시연도 현장에서 진행됐다.
시연은 GPU가 CPU 병목을 우회해 스토리지에 직접 접근함으로써 AI 처리 성능을 극대화하는 모습을 보여줬다.
아울러 삼성전자는 AI Factories(AI 데이터센터), Local AI(온디바이스 AI), Physical AI 등 세 개 존으로 전시를 구성하고 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처를 소개했다.
행사 둘째 날인 3월 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 특별 초청 발표자로 나서 차세대 AI 시스템의 중요성과 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시하며 양사 협력이 부품 공급을 넘어 AI 인프라 전반으로 확장되고 있음을 강조할 예정이다.
삼성전자는 종합적 설계·파운드리·패키징 역량을 결합한 토털 공급체계를 통해 Vera Rubin 등 차세대 AI 플랫폼 수요에 선제적으로 대응함으로써 고성능 AI 인프라 시장에서 주도권을 확보하겠다는 전략을 분명히 했다.
장승영 기자
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