베라 루빈 플랫폼 구현할 수 있는 메모리 토털 설루션 유일하게 공급
파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량으로 차세대 HBM4 개발 가속
'엔비디아 갤러리' 별도 구성해 베라 루빈과 함께 전시하며 협력 강조
삼성전자가 16~19일(현지 시각) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에서 공개한 HBM4 제품 (사진=삼성전자)
삼성전자가 차세대 HBM4E를 통해 초격차 기술력을 회복하며 엔비디아와의 협력을 강화한다.
삼성전자는 16~19일(현지 시각) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술력과 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 설루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 인공지능(AI) 리더십을 제고한다.
삼성전자는 이번 전시회에서 'HBM4 Hero Wall'을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 메모리 로직 설계 파운드리 첨단 패키징을 아우르는 종합 반도체 기업만의 강점을 부각했으며 '엔비디아 갤러리'를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양 사의 전략적 파트너십을 강조했다.
또한 삼성전자는 전시 공간을 AI 팩토리, 로컬 AI, 피지컬 AI 세 개 존으로 구성해 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9EI 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.
삼성전자는 이번 전시에서 HBM4 Hero Wall을 마련해 자사의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 전시 동선을 구성했다.
삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속하고 있으며 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.
삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 파운드리와 로직 설계 역량, 여기에 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
아울러 삼성전자는 영상을 통해 TCV(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Cooper Bonding) 기술을 공개하며 차세대 HBM을 위한 자사의 패키징 기술력을 강조했다.
삼성전자의 HBM4 제품 (사진=삼성전자)
한편 삼성전자는 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 구성했다.
삼성전자는 종합 반도체 기업만의 토털 설루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획이다.
삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 설루션 역량을 부각했다.
삼성전자 GTC 제품 (사진=삼성전자)
엔비디아 갤러리를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시해 양 사의 협력을 강조했다.
삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 마치고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.
삼성전자 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로 삼성전자는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 사양 소개를 넘어 업계 최고 수준의 성능을 현장에서 체감할 수 있도록 했다.
아울러 삼성전자는 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다.
AI 팩토리 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI 시스템이 필수적이다. 이에 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 설루션을 지속 공급해 나갈 예정이다.
양 사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌겠다는 계획이다.
전수영 기자
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