HBM4E 실물 칩·코어 다이 웨이퍼 최초 전시
삼성전자 GTC 부스 사진. ⓒ삼성전자
현대경제신문 유은주 기자 | 삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술을 공개하며 글로벌 인공지능(AI) 반도체 경쟁력 강화에 나섰다.
삼성전자는 지난 16일부터 19일(현지시간)까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 AI 인프라용 메모리 토털 솔루션을 공개했다고 17일 밝혔다.
이번 전시에서 삼성전자는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 공정을 기반으로 개발한 차세대 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.
삼성전자 HBM4 제품. ⓒ삼성전자
◆HBM4E 실물 공개…핀당 16Gbps·대역폭 4TB/s
삼성전자 HBM4E는 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징 기술을 결합한 종합 반도체(IDM) 역량을 기반으로 개발됐다. 이 제품은 핀당 16Gbps 속도와 최대 4TB/s 대역폭을 지원한다.
또한 삼성전자는 차세대 패키징 기술인 HCB(Hybrid Copper Bonding)도 소개했다. 해당 기술은 기존 TCB 방식 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상의 고적층 HBM 구현을 지원한다.
삼성전자는 전시 부스에 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 Vera Rubin과 함께 사용할 메모리 솔루션을 선보였다.
삼성전자는 해당 플랫폼에 HBM4, 서버용 메모리 모듈 SOCAMM2, PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763 등 메모리와 스토리지를 통합 제공할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 강조했다.
◆엔비디아 차세대 플랫폼 ‘Vera Rubin’ 메모리 공급
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로, 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.
또 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin 플랫폼의 메인 스토리지로 활용되며, 전시 현장에서는 해당 SSD가 탑재된 서버를 통해 AI 데이터 처리 성능을 직접 시연했다.
삼성전자는 AI 데이터센터를 의미하는 ‘AI Factories’, 온디바이스 AI를 소개하는 ‘Local AI’, 로봇·자율주행 등 ‘Physical AI’ 등 세 가지 존을 구성해 차세대 메모리 아키텍처도 함께 공개했다.
행사 둘째 날에는 엔비디아 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 위한 메모리 솔루션 비전을 소개한다.
한편 삼성전자는 이번 전시를 통해 엔비디아와의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 글로벌 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 강조했다.
유은주 기자
다른기사 보기
SK텔레콤, 고객자문단 출범···"고객 목소리 경청, 서비스 혁신"
SK하이닉스, GTC 2026서 엔비디아와 AI 메모리 협력 강화
삼성전자, '삼성 아트 스토어'에 SFMOMA 컬렉션 공개
SK인텔릭스, 웰니스 로봇 '나무엑스' OTA 업데이트
저작권자 © 현대경제신문
댓글
0