‘엔비디아 GTC 2026’이 삼성전자와 SK하이닉스의 차세대 고대역폭메모리(HBM) 격전지로 변모했다. 양사는 엔비디아의 차기 AI 로드맵을 선점하기 위한 기술력을 과시하며 시장 주도권 확보를 위한 결전에 돌입했다.
삼성전자 HBM4E 제품 전시 사진 / 삼성전자
삼성전자는 16일(현지시각) 미국 새너제이에서 열린 GTC 2026에서 7세대 제품인 ‘HBM4E’ 실물을 세계 최초로 공개하며 기술 리더십 탈환을 선언했다. 이번 제품은 엔비디아가 내년 출시할 최상위 AI 플랫폼인 ‘베라 루빈 울트라’에 탑재돼 고성능 연산을 지원하는 핵심 부품으로 자리매김할 전망이다.
업계에서는 삼성전자가 5세대 HBM3E까지의 부진을 씻고 HBM4 단계에서 역전 발판을 마련했다고 평가한다. 삼성전자는 이번에 공개한 HBM4E를 통해 차세대 시장에서 확실한 선두로 치고 나가며 경쟁사와 격차를 벌린다는 구상이다.
반격의 중심에는 종합반도체기업(IDM)만의 강점을 극대화한 ‘토털 솔루션’ 전략이 자리 잡고 있다. HBM4 양산으로 축적한 1c D램 공정 기술과 삼성 파운드리의 4나노 베이스 다이 설계 역량을 결합해 독보적 성능을 구현해냈다는 설명이다.
특히 HBM4E는 엔비디아가 요구하는 1TB 대용량을 구현해야 하는 최고난도의 기술적 과제를 안고 있다. 이는 기존 HBM4 용량인 288Gb 대비 4배나 높은 수준으로, 메모리 시장의 새로운 기술 장벽으로 꼽힌다.
삼성전자는 이를 위해 16단 이상의 D램을 쌓으면서도 발열을 잡기 위해 열 저항을 20% 이상 개선한 ‘하이브리드 구리 본딩(HCB)’ 기술을 도입했다. 이 기술은 고적층 구조에서도 안정적인 작동을 보장하며 수율 문제를 해결하는 핵심 열쇠가 될 전망이다.
엔비디아 베라 루빈 200 실물과 이에 탑재되는 SK하이닉스의 HBM4, SOCAMM2 / SK하이닉스
SK하이닉스는 ‘AI 메모리 스포트라이트(Spotlight on AI Memory)’를 주제로 전시장을 꾸미고 시장 선두 수성 의지를 다졌다. 엔비디아와의 견고한 파트너십을 상징하는 협업 존을 전면에 배치해 자사 제품이 실제 AI 가속기에 적용된 사례를 실물로 선보였다.
SK하이닉스는 액체 냉각식 eSSD와 LPDDR5X가 탑재된 AI 슈퍼컴퓨터 ‘DGX 스파크’를 통해 하드웨어 최적화 역량을 과시했다. 데이터 병목을 최소화하고 성능을 극대화하는 솔루션으로 엔비디아와의 밀착된 협력 관계를 입증했다.
SK하이닉스는 16단 고적층 패키징의 정수인 TSV 공정 노하우를 강조하며 업계 선두다운 자신감을 드러냈다. 관람객이 직접 참여하는 체험형 콘텐츠를 통해 AI 반도체의 고성능 구현 과정과 자사의 기술 신뢰도를 효과적으로 전달했다.
현장에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아 초청 발표에 나섰다. 최태원 SK그룹 회장과 곽노정 SK하이닉스 CEO도 참석해 전방위 활동을 펼쳤다. 양사 경영진은 글로벌 빅테크들과 만나 AI 인프라 변화에 따른 중장기 협력 방안을 논의했다.
삼성전자 관계자는 “IDM만의 강점을 활용해 성능과 품질을 압도하는 선순환 구조를 구축할 것”이라고 밝혔다. SK하이닉스 관계자는 “데이터센터부터 온디바이스까지 전 영역을 아우르는 기술 역량으로 파트너들과 AI의 미래를 만들겠다”며 맞불을 놨다.
이광영 기자
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