사회

美 중심 반도체 협업 가속…1나노 이하 공정 경쟁 본격화

AMAT는 SK하이닉스와 장기 파트너십을 체결했으며 마이크론과도 차세대 D램, HBM, 낸드 관련 소재·공정·아키텍처 개발을 공동으로 추진한다고 밝혔다. SK하이닉스는 AMAT가 설립한 연구 거점 'EPIC 센터'의 창립 멤버로...

EPNC 입력 2026.03.19 11:00 0

디바이스 단독 개발 한계…협업 중심 산업 구조로 전환

SK하이닉스-마이크론, 어플라이드와 메모리 혁신 협력 확대

[테크월드뉴스=박규찬 기자] 미국을 중심으로 반도체 업계에서 디바이스 제조사와 장비 업체 간 협업이 활발히 전개되며 차세대 반도체 공정 개발이 가속화되고 있다. 특히 로직과 메모리 분야 모두에서 공동 연구개발을 통한 기술 혁신 움직임이 두드러진다.

[사진=게티이미지뱅크]

19일 반도체 업계에 따르면 먼저 IBM은 램리서치와 함께 1nm(나노미터) 이하 로직 공정 실현을 목표로 한 신규 공정 및 소재 개발 협력을 발표했다. 양사는 지난 10여 년간 7나노 공정, 나노시트 구조, 초기 EUV 공정 개발 등에서 긴밀히 협력해 온 바 있으며 이번 계약은 향후 5년간 진행될 예정이다.

이번 협력은 IBM의 로직 스케일링 로드맵을 1나노 이하로 확장하는 것을 목표로 하며 복잡해지는 디바이스 아키텍처 대응을 위한 신소재 개발, 첨단 식각 및 증착 기술, 차세대 상호 연결 및 패터닝 기술 확보에 초점을 맞춘다. 특히 고NA EUV 리소그래피 공정 개발이 핵심 과제로 꼽힌다.

이 가운데 IBM이 주목하는 기술은 램리서치가 개발 중인 EUV용 드라이 레지스트 기술이다. 드라이 레지스트는 기존의 액상 기반 웨트 레지스트 대신, 광활성 분자로 구성된 증기 형태의 물질을 기판에 증착하는 방식이다. 이를 통해 표면 장력이나 모세관력으로 인한 패턴 붕괴 문제를 회피할 수 있어 초미세 공정에서 유리한 기술로 평가된다.

양사는 IBM의 뉴욕 알바니 나노테크 연구단지와 램리서치의 공정 장비 및 기술 역량을 결합해 나노시트 및 나노스택 디바이스와 후면 전력 공급(Backside Power Delivery)을 포함한 전체 공정 흐름을 구축하고 검증할 계획이다. 이를 통해 고NA EUV 패턴을 높은 수율로 실제 디바이스에 적용하고 향후 로직 반도체의 지속적인 미세화와 성능 향상을 실현한다는 방침이다.

어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)는 차세대 메모리 공정 개발을 위해 메모리 기업들과 협력을 확대하고 있다. AMAT는 SK하이닉스와 장기 파트너십을 체결했으며 마이크론과도 차세대 D램, HBM, 낸드 관련 소재·공정·아키텍처 개발을 공동으로 추진한다고 밝혔다.

SK하이닉스는 AMAT가 설립한 연구 거점 ‘EPIC 센터’의 창립 멤버로 참여해 메모리 소재와 공정 통합, 3차원 패키징 기술 개발에 협력할 예정이다. 마이크론 역시 EPIC 센터와 더불어 미국 아이다호주 보이시의 자체 혁신 허브를 활용해 공동 연구개발을 진행할 계획이다.

이처럼 차세대 반도체 개발은 단일 기업만으로는 한계에 직면하면서 장비 및 소재 기업과의 협력이 필수적인 요소로 자리 잡고 있다. 장비 업체들 또한 공동 연구개발 시설 구축 등을 통해 협력 관계를 강화하는 추세다.

이러한 움직임의 배경에는 인공지능(AI) 수요 확대가 자리하고 있다. 미국 주요 기술 기업들이 2026년에만 약 6300억 달러 규모의 AI 인프라 투자를 단행할 것으로 전망되면서 더 높은 성능의 반도체 개발 필요성이 커지고 있다. 이에 따라 SK하이닉스와 마이크론 역시 장비 업체와의 협력을 통해 기술 개발 속도를 높이려는 전략을 추진 중인 것으로 알려졌다.

회원가입 후 이용바랍니다.

키워드

#반도체

#1나노

#미국

후속기사 원해요

도움되요

공유하고 싶어요

이 기사를 추천합니다

로그인 후 댓글을 작성할 수 있습니다.

아직 댓글이 없습니다 이 기사에 첫 의견을 남겨보세요.

美 중심 반도체 협업 가속…1나노 이하 공정 경쟁 본격화

이 기사를 추천합니다

댓글

댓글 수정

기사 목록