시진핑 중국 국가주석이 지난해 3월 11일 베이징 인민대회당에서 열린 양회 중 전국인민대표대회 폐막식에 참석하고 있다. AFP연합뉴스
중국의 ‘반도체 굴기’를 대표하는 창신메모리(CXMT)가 범용 D램 시장에서 기술 추격에 속도를 내고 있다. CXMT의 DDR5 칩을 사용한 메모리가 미국 AMD의 최신 PC 플랫폼에서 초당 8800메가 전송 속도(MT/s)까지 구동되면서
삼성전자(005930)
SK하이닉스(000660)
·마이크론이 장악해온 글로벌 D램 시장에 새로운 경쟁자가 등장하고 있다는 평가가 나온다.
7일(현지시간) 정보기술(IT) 전문매체 Wccftech에 따르면 중국 컬러풀의 ‘아이게임쉐도우II(iGame Shadow II)’ DDR5 메모리는 AMD AM5 기반의 iGame X870E 벌컨(Vulcan) W OC 메인보드에서 8800 MT/s의 전송 속도를 기록했다. 이는 초당 88억 번 데이터를 주고받을 수 있는 속도다. 16기가바이트(GB) 모듈 2개를 장착한 32GB 구성뿐 아니라 24GB 모듈 2개를 사용한 48GB 구성에서도 같은 속도로 안정성 테스트를 통과했다.
이번 기록은 CXMT 칩을 탑재한 DDR5 메모리가 AMD의 소비자용 메인스트림 플랫폼에서 보여준 최고 수준의 성능이다. 전체 DDR5 메모리의 세계 최고 기록을 의미하는 것은 아니지만 중국산 D램의 성능 향상 속도를 보여준다는 점에서 의미가 있다.
특히 기술 개선 속도가 눈에 띈다. 컬러풀은 불과 수 주 전 동일한 iGame Shadow II 제품으로 8600 MT/s를 달성했는데 이번에는 전송 속도를 다시 200 MT/s 높였다. 과거 CXMT 기반 DDR5 제품이 7000 MT/s 안팎에서 고전했던 것과 비교하면 고성능 PC용 메모리로 활용할 여지가 빠르게 커지고 있다는 분석이다.
CXMT 로고. 로이터연합뉴스
CXMT의 고속 구동 사례는 AMD 플랫폼에 국한되지 않는다. 앞서 중국 메모리 업체 아스가드는 CXMT의 24Gb D램 칩을 적용한 48GB DDR5 모듈을 인텔 Z890 플랫폼에서 8800 MT/s까지 끌어올렸다. 당시에는 에이수스 Z890 메인보드와 24GB 모듈 2개가 사용됐다. 이로써 CXMT는 인텔과 AMD의 최신 데스크톱 플랫폼 양쪽에서 8800 MT/s 수준의 동작 가능성을 보여줬다.
메인보드 업체들이 중국산 D램 지원을 확대하고 있는 점도 주목된다. MSI는 지난달 자사 인텔 800시리즈 메인보드에 CXMT DDR5를 위한 전용 메모리 트레이닝과 타이밍 최적화를 적용했다고 밝혔다. 이는 CXMT가 단순히 중국 내 저가 메모리 공급업체에 머물지 않고 글로벌 PC 생태계에서 호환성과 성능을 동시에 인정받기 시작하고 있다는 의미로 해석된다.
중국 메모리 반도체사 창신메모리 테크놀로지(CXMT)의 저전력 D램인 ‘LPDDR5’. CXMT 홈페이지 캡처
더욱 눈여겨볼 부분은 CXMT의 성장이 기술 시연에 그치지 않고 있다는 점이다. 트렌드포스에 따르면 CXMT의 글로벌 D램 매출 점유율은 올해 1분기 7.6%까지 상승해 세계 4위에 올랐다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론의 합산 점유율은 여전히 89.7%에 달하지만 CXMT가 과거와 달리 무시하기 어려운 규모까지 올라왔다. 트렌드포스는 CXMT가 최신 G4 공정으로 전환하면서 이전 세대보다 제품 품질과 생산량도 개선되고 있다고 분석했다.
특히 업계는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이 인공지능(AI) 서버용 고대역폭메모리(HBM)와 첨단 D램에 투자를 집중하는 사이 CXMT가 PC와 서버 등 범용 D램 시장에서 생산능력과 고객 기반을 확대하는 점을 예의주시하고 있다. 중국이 막대한 투자를 통해 추진해온 반도체 자립 전략이 CXMT를 통해 본격적인 결과물로 나타나기 시작했기 때문이다. 세계 D램 시장의 3강이 당장 무너질 가능성은 낮지만 ‘3강 1중(3+1)’ 경쟁 체제가 형성될 가능성은 갈수록 커지고 있다.
물론 8800 MT/s라는 숫자만으로 CXMT가 기존 선두 업체들의 기술력을 따라잡았다고 단정하기는 어렵다. 시연 속도가 높아도 상용 제품으로 판매하기 위해서는 성능·수율에 대한 엄격한 검증을 받아야 한다. 최근 일부 테스트에서 CXMT DDR5가 전압을 높여도 성능 향상 폭이 제한되고 세부 타이밍 조정이 쉽지 않은 데다 생산 배치에 따른 칩 성능 편차가 상대적으로 크다는 지적도 나오고 있다.
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