본문 바로가기
사회

SK하이닉스·삼성전자, 메모리 반도체 개발 가속

SK하이닉스와 삼성전자는 메모리 반도체 개발을 가속화 하고 있다. SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) LPDDR5X 저전력 D램 기반 차세대 메모리 모듈 규격인 SOCAMM2 192GB(기가바이트) 제품을 본격 양산한다고 4월...

SK하이닉스·삼성전자, 메모리 반도체 개발 가속

[�����Һ��ڽŹ� ������ ����] SK���̴н��� �Z���ڴ� �޸� �ݵ�ü ������ ����ȭ �ϰ� �ִ�.

SK���̴н��� 10����� 6����(1c) LPDDR5X ������ D�� ��� ������ �޸� ��� �԰��� SOCAMM2 192GB(�Ⱑ����Ʈ) ��ǰ�� ���� ����Ѵٰ� 4�� 20�� ������.

SOCAMM2�� �ַ� ����Ʈ�� �� ����� ��ǰ�� ���Ǵ� ������ �޸𸮸� ���� ȯ�濡 �°� ������ ���� ������ AI ���� � �ַ����� Ȱ��ȴ�.

SK���̴н��� "1c ���� ������ ������ SOCAMM2 ��ǰ�� ���� RDIMM ��� 2�� �̻��� �뿪���� 75% �̻� ������ ������ ȿ���� ������ ������ AI ���꿡 ����ȭ�� �����"�̶�� ���ߴ�.

�̹� SOCAMM2 ��ǰ�� �������� ���� ���(Vera Rubin)�� ����ȭ�Ǿ� ����ƴٰ� ������. ��õ �� ���� �Ķ���͸� ������ �ʰŴ� AI ���� �н��� �߷� �������� �߻��ϴ� �޸� ���� ������ �ٺ������� �ؼ������ν� ��ü �ý����� ó�� �ӵ��� ũ�� ���̴� �� �⿩�� ������ SK���̴н��� ����ϰ� �ִ�.

�Z���ڴ� �ֱ� �̱� �������̿��� ���� ������ GTC�� ������ ������� ���������� �������� GDDR7, LPDDR6, PM9E1 �� ������ �Z �޸� ��Ű��ó�� �Ұ��ߴ�.

�Z���ڴ� ���ÿ��� 'HBM4 Hero Wall'�� �����ߴ�. �Z���ڴ� HBM4 ����� ���� ������ 1c D�� ���� ����� ��� ����°� �Z Foundry 4���� ���̽� ���� ���� ������ �������� ������ HBM4E ������ ����ȭ�ϰ� ������ HBM4E �ǹ� Ĩ�� �ھ� ���� �����۸� ���ʷ� �����ߴ�.

�Z���� HBM4E�� �޸�, ��ü Foundry�� ���� ���� ����, �׸��� ÷�� ��Ű¡ ��� �� �ι� �� ������ ������ ������ ���� �ɴ� 16Gbps �ӵ��� 4.0TB/s �뿪���� ������ �����̴�.

�� �Z���ڴ� ������ ���� TCB(Thermal Compression Bonding) ��� �� ������ 20% �̻� �����ϰ� 16�� �̻� �������� �����ϴ� HCB(Hybrid Copper Bonding) ����� �����ϸ�, ������ HBM�� ���� �Z������ ��Ű¡ ��� ������� �����ߴ�.

�Z���ڴ� Vera Rubin �÷����� ž��� HBM4 Ĩ�� Foundry 4���� ���̽� ���� �����۸� ���鿡 ��ġ�� ������ Ĩ�� �����ϴ� �Z�� HBM ���ξ��� Ȯ���� �� �ֵ��� ���ø� �����ߴ�.

������ ����  wavy080@hanmail.net

이 기사 공유하기
페이스북X

이 기사를 추천합니다

i

댓글

0

후 댓글을 작성할 수 있습니다.

아직 댓글이 없습니다 이 기사에 첫 의견을 남겨보세요.

댓글 수정