HBM4E 칩·코어 다이 웨이퍼 첫 공개… 1c D램·4나노 베이스 다이·HCB 기술로 차세대 성능 제시
Vera Rubin 플랫폼에 HBM4·SOCAMM2·PM1763 전량 공급… 전 세계 유일 메모리 토털 솔루션
GDDR7·LPDDR6·PM9E1 등 차세대 메모리 전시… “AI 인프라 패러다임 전환, 삼성–엔비디아가 함께 이끈다”
[사진=이톡뉴스AI]
[배만섭 기자 @이코노미톡뉴스]
삼성전자가 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에서 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 공개하며 글로벌 AI 리더십을 강화했다.
전시관 ‘HBM4 Hero Wall’에서는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 기반 베이스 다이를 적용한 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 선보였다. 삼성은 핀당 16Gbps, 4.0TB/s 대역폭을 목표로 개발 중이며, HCB 기술을 통해 열 저항 20% 개선과 16단 이상 고적층을 지원한다고 밝혔다.
삼성전자는 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리·스토리지를 적기에 공급할 수 있는 유일한 기업임을 강조했다. 부스에는 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲PCIe Gen6 SSD PM1763가 함께 전시됐으며, PM1763이 탑재된 서버로 SCADA 워크로드를 직접 시연해 성능을 입증했다. 또한 CMX 플랫폼용 PCIe Gen5 SSD PM1753도 공급할 계획이다.
삼성전자는 AI Factories·On-device AI·Physical AI 존을 구성해 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처를 소개했다. 행사 둘째 날에는 송용호 AI센터장이 엔비디아 초청 발표자로 나서 차세대 AI 시스템과 이를 뒷받침하는 삼성 메모리 비전을 제시했다.
삼성은 “IDM의 토털 솔루션으로 고성능 HBM 시대의 기술 선순환을 구축하겠다”며 엔비디아와의 협력을 AI 인프라 전반으로 확대할 계획이다.
배만섭 기자
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