사회

'GTC 2026' 엔비디아 젠슨황, 삼성-SK 협력 강화

관람객들이 가상의 메모리 칩을 직접 쌓아 올리는 체험을 통해 TSV 공정과 고적층 패키징 기술을 이해하고, AI 반도체의 고성능 구현 과정에 대한 이해도를 높일 수 있다. SK하이닉스는 이번 GTC 2026 기간 동안...

SHINAILBO 입력 2026.03.17 11:14 0

젠슨 황 엔비디아 CEO(가운데)가 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 황상준 메모리개발담당 부사장(왼쪽), 한진만 파운드리 사업부장 사장(오른쪽)과 기념촬영을 하고 있다.[사진=삼성전자]

이재용 삼성전자 회장과 최태원 SK그룹 회장이 젠슨 황 엔비디아 대표와 AI(인공지능) 협력을 한층 강화한다.

삼성전자와 SK하이닉스는 3월16~19일(현지시간) 미국 새너제이에서 진행 중인 'GTC 2026'에서 AI 인프라용 차세대 메모리 기술을 공개하며 엔비디아와의 협력 성과를 선보였다.

삼성전자는 이번 행사에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련해 7세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다. HBM4E는 핀당 최대 16Gbps 속도와 4TB/s 대역폭을 지원하는 차세대 AI 메모리로 대규모 연산에 필요한 데이터 처리 성능을 크게 높인 것이 특징이다.

삼성전자는 Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2(저전력 서버메모리) 모듈, 서버용 SSD(고속저장장치) 등을 전시하며 엔비디아 플랫폼 전반에 걸친 메모리 공급 역량을 강조했다. 또한 기존 TCB(열압착 접합) 대비 열 저항을 개선하고 고적층 구현이 가능한 HCB(구리 직접 접합) 기술을 소개하며 차세대 패키징 경쟁력도 부각했다.

젠슨 황 엔비디아 CEO는 기조연설에서 삼성전자와 파운드리(위탁생산) 부문 협력 관계를 직접 언급했다. 그는 자사의 추론 전용 칩을 소개하며 “삼성이 우리를 위해 ‘그록(Groq)3’ LPU(언어처리장치) 칩을 제조하고 있다. 현재 생산을 최대한 빠르게 늘리고 있다. 삼성에 감사하다”고 말했다.

SK하이닉스는 이번 행사에서 ‘Spotlight on AI Memory’를 주제로 전시 공간을 마련하고 AI 인프라용 메모리 기술을 선보였다. AI 학습과 추론 과정에서 발생하는 데이터 병목을 줄이고 성능을 극대화할 수 있는 메모리 제품을 중심으로 엔비디아와 협력 성과를 소개했다.

전시관은 ‘엔비디아 협업 존’과 ‘제품 포트폴리오 존’ 등으로 구성됐다. 협업 존에서는 HBM4와 HBM3E, SOCAMM2 등 SK하이닉스 메모리가 엔비디아 GPU(그래픽처리장치) 기반 AI 가속기에 적용된 사례를 중심으로 전시됐다. GPU 시스템에 탑재된 메모리 구조를 모형과 실물 형태로 구현해 AI 인프라에서 메모리의 역할을 직관적으로 보여줬다.

제품 포트폴리오 존에서는 HBM4와 HBM3E를 비롯해 LPDDR6(저전력 D램), GDDR7(그래픽 메모리), 서버용 D램 모듈, eSSD(엔터프라이즈 SSD) 등 AI 시대를 겨냥한 메모리 제품군을 공개했다. 아울러 엔비디아와 협업해 개발한 액체 냉각식 eSSD와 AI 슈퍼컴퓨터 시스템도 함께 전시했다.

참여형 체험 공간인 ‘이벤트 존’에서는 HBM 적층 구조를 모티브로 한 ‘HBM 16단 쌓기 게임’을 운영한다. 관람객들이 가상의 메모리 칩을 직접 쌓아 올리는 체험을 통해 TSV 공정과 고적층 패키징 기술을 이해하고, AI 반도체의 고성능 구현 과정에 대한 이해도를 높일 수 있다.

SK하이닉스는 이번 GTC 2026 기간 동안 글로벌 AI 산업 현장의 최신 흐름에 맞는 협력 방향을 모색할 계획이다.

[신아일보] 장민제 기자