기존 AI 반도체는 전류를 높이면 정보 저장 성능이 떨어지고, 반대로 저장 성능을 높이면 전류가 감소하는 문제가 있었습니다.
이런 문제를 해결하기 위해 국내 연구진이 개발한 소자는 강유전체 HZO, 하프늄 지르코늄 산화물과 IGZO(이그조) 산화물 반도체를 결합했습니다.
이 소자는 강유전체의 분극과 계면 전하의 축적과 방출 현상을 함께 활용해 전류가 새
기존 AI 반도체는 전류를 높이면 정보 저장 성능이 떨어지고, 반대로 저장 성능을 높이면 전류가 감소하는 문제가 있었습니다.
기존 AI 반도체는 전류를 높이면 정보 저장 성능이 떨어지고, 반대로 저장 성능을 높이면 전류가 감소하는 문제가 있었습니다.
이런 문제를 해결하기 위해 국내 연구진이 개발한 소자는 강유전체 HZO, 하프늄 지르코늄 산화물과 IGZO(이그조) 산화물 반도체를 결합했습니다.
이 소자는 강유전체의 분극과 계면 전하의 축적과 방출 현상을 함께 활용해 전류가 새
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