1c D램·Foundry 4나노 기반 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼 최초 공개
삼성전자, 베라 루빈 플랫폼용 메모리 토털 솔루션 유일하게 공급
엔비디아 젠슨 황 CEO가 현지시간 16일 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문했다. (좌측부터 황상준 메모리개발담당 부사장, 젠슨 황 CEO, 한진만 파운드리 사업부장 사장) [출처=삼성전자]
'베라 루빈'의 심장부를 장악한 삼성의 기술력이 공개됐다.
삼성전자는 현지시간 16일 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 'GTC 2026'에 참가해 차세대 AI 시장의 게임 체인저가 될 'HBM4E' 기술력을 전격 공개했다.
이번 전시에서 삼성전자는 엔비디아의 차세대 플랫폼 베라 루빈(Vera Rubin)에 필요한 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 전 세계 유일의 '메모리 토털 솔루션' 기업임을 입증하며 글로벌 AI 리더십 수성에 나섰다.
삼성전자 관계자는 "AI 팩토리 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적이며, 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정"이라면서 "양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것"이라고 강조했다.
삼성전자 GTC 2026 부스. [출처=삼성전자]
가장 큰 화제는 단연 'HBM4 Hero Wall'에서 공개된 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼였다. 삼성전자는 1c D램 공정과 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 결합해 핀당 16Gbps의 속도와 4.0TB/s의 압도적 대역폭을 구현할 예정이다. 이는 메모리 설계부터 파운드리, 첨단 패키징까지 아우르는 종합반도체기업(IDM)만이 가능한 '초격차 협업'의 결과물로 평가받고 있다.
삼성전자는 차세대 패키징 기술인 하이브리드 구리 본딩(HCB)을 통해 기술적 우위를 못 박았다. 기존 TCB 방식 대비 열 저항을 20% 이상 개선한 HCB 기술은 16단 이상의 고적층 HBM 구현에 최적화돼 있다. AI 연산 폭증으로 인한 발열 문제를 해결하는 이 기술은 엔비디아 고성능 GPU의 성능을 극대화하는 핵심 열쇠가 될 것으로 보인다.
삼성전자 HBM4E 제품 전시. [출처=삼성전자]
아울러, 삼성전자는 엔비디아와의 전략적 동맹을 상징하는 'Nvidia Gallery'를 통해 루빈 GPU용 HBM4, 베라 CPU용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763 등 플랫폼 전체를 아우르는 라인업을 전시했다.
특히 PCIe Gen6 기반 SSD인 PM1763은 GPU가 CPU 병목을 우회해 스토리지에 직접 접근하는 SCADA 기술을 현장에서 시연하며, 삼성의 스토리지가 AI 워크로드 성능을 극대화하는 필수 인프라임을 증명했다.
행사 둘째 날, 송용호 삼성전자 AI센터장의 특별 초청 발표는 양사의 관계가 단순 납품을 넘어 AI 인프라 혁신을 함께 이끄는 '전략적 동맹'임을 시사할 전망이다. 삼성전자는 CMX(문맥 메모리 확장) 플랫폼에 PCIe Gen5 SSD인 PM1753을 공급하는 등 추론 성능 개선을 위한 차세대 솔루션도 예고했다.
글로벌 기술 패권 전쟁 속에서 삼성의 메모리 솔루션은 대한민국 반도체 안보의 가장 강력한 방어선이자 공격 무기가 되고 있는 모습이다.
[위키리크스한국=안준용 기자]
저작권자 © 위키리크스한국
안준용 기자
다른기사 보기
유튜브
댓글
0