더피알=최진 기자｜삼성전자가 3월 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 '엔비디아 GTC 2026'에 참가해 글로벌 AI 시장을 겨냥한 차세대 메모리 기술력을 대거 선보인다.
삼성전자가 '엔비디아 GTC 2026'에 참가해 차세대 메모리 기술력을 대거 선보인다. 사진=삼성전자, 엔비디아
'HBM4E' 최초 공개...IDM 경쟁력 결집
삼성전자는 이번 전시에 마련한 'HBM4 Hero Wall'을 통해 1c D램 공정과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 기술이 적용된 차세대 'HBM4E' 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.
이번 HBM4E는 메모리 설계부터 파운드리, 첨단패키징까지 아우르는 종합반도체기업(IDM)만의 역량을 결집한 제품이다. 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원한다.
또한 삼성전자는 영상을 통해 기존 TCB(Thermal Compression Bonding) 방식 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개했다.
'베라 루빈' 플랫폼의 유일한 토털 솔루션 파트너 강조
삼성전자는 이번 전시에서 전 세계에서 유일하게 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '베라 루빈(Vera Rubin)' 플랫폼용 메모리와 스토리지를 전 영역에 걸쳐 적기 공급할 수 있는 역량을 부각했다.
이를 위해 마련된 'Nvidia Gallery(엔비디아 갤러리)' 존에서는 ▲루빈 GPU용 HBM4 ▲베라 CPU용 SOCAMM2 ▲PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763이 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시됐다. 특히 메인 스토리지인 PM1763은 현장에서 엔비디아 SCADA 워크로드를 시연을 통해 방문객들이 업계 최고 수준의 성능을 체감할 수 있도록 했다고 회사는 설명했다.
삼성전자·엔비디아, AI 인프라 전반으로 파트너십 확대
이 밖에도 삼성전자는 ▲AI Factories(AI 데이터 센터) ▲Local AI(온디바이스 AI) ▲Physical AI(피지컬 AI) 등 세 개의 존을 구성해 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개했다.
한편, 행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나선다. 송 센터장은 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시할 예정이다. 이번 발표를 통해 양사의 파트너십이 단순한 기술 협력을 넘어, AI 인프라 전반의 전략적 파트너십으로 진화했음을 공고히 할 계획이다.
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최진 기자
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