삼성전자 서초사옥. (사진=손기호 기자)
삼성전자가 16일(현지시간)부터 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가, 차세대 HBM4E 기술력과 Vera Rubin 플랫폼을 구현하는 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급할 수 있는 역량을 앞세워 글로벌 AI 리더십을 한층 강화한다고 밝혔다.
삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 ▲메모리 ▲로직 설계 ▲Foundry ▲첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각시켰다.
삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 Foundry 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.
또 Vera Rubin 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 Foundry 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해, 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다.
삼성전자는 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시, 양사의 협력을 강조했다. 특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각시켰다.
삼성전자 측은 “AI Factory 혁신을 위해서는 Vera Rubin 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적”이라며 “삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정”이라고 밝혔다.
한편, 행사 둘째 날인 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다. 이를 통해 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다.
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