삼성전자가 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에서 차세대 HBM4E 기술과 메모리 토털 솔루션을 공개하며 AI 반도체 시장에서의 경쟁력을 강조했다.
사진=삼성전자
삼성전자는 이번 전시에서 1c D램과 파운드리 4나노 공정을 기반으로 한 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 핀당 16Gbps 속도와 최대 4TB/s 대역폭을 지원하는 고성능 메모리로, 차세대 AI 인프라에 대응하는 핵심 기술로 제시됐다.
또한 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 적층을 지원하는 HCB 패키징 기술도 함께 공개하며 차세대 HBM 구조 경쟁력을 부각했다.
삼성전자는 특히 엔비디아의 차세대 Vera Rubin 플랫폼에 필요한 메모리와 스토리지를 통합 공급할 수 있는 ‘메모리 토털 솔루션’ 역량을 강조했다. Rubin GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 서버용 SSD PM1763 등을 함께 전시하며 양사의 협력을 부각했다.
이와 함께 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 양산 출하를 시작했으며, PCIe Gen6 기반 SSD PM1763은 AI 워크로드 환경에서 성능을 직접 시연했다.
전시 공간은 AI 데이터센터, 온디바이스 AI, 피지컬 AI 등 세 개의 존으로 구성됐으며, GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처도 함께 소개됐다.
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