젠슨 황 엔디비아 CEO가 16일(현지 시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC 2026 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영 하고 있다. (왼쪽부터) 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 황 CEO, 한진만 삼성전자 파운드리 사업부장 사장. (사진=삼성전자)
[딜라이트닷넷=장영일 기자] 삼성전자가 급증하는 인공지능(AI) 데이터센터 수요에 대응하기 위해 올해 고대역폭메모리(HBM) 생산량을 지난해보다 3배 이상 늘린다.
또 차세대 제품인 HBM5부터는 2나노 선단 공정을 전격 도입해 기술 초격차를 확보할 방침이다.
황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지시간) 미국 ‘GTC 2026’ 현장에서 “가파른 증산(램프업)을 진행 중이며 공급에 큰 문제는 없다”고 밝혔다.
황 부사장은 전체 HBM 공급량 중 최신작인 6세대 HBM4 비중을 절반 이상으로 가져가는 것을 목표로, 프리미엄 제품 중심의 공급 전략을 펼치겠다고 예고했다.
차세대 HBM 로드맵도 구체화했다. 현재 양산 중인 HBM4와 후속작 HBM4E는 파운드리 4나노 공정을 사용하지만, 8세대 제품인 HBM5와 5E부터는 삼성 파운드리의 2나노 공정을 적용할 계획이다.
황 부사장은 “원가 부담은 있으나 고성능 제품 구현을 위해 선단 공정 활용이 불가피하다”며 엔비디아의 신제품 주기에 맞춰 1년 단위 출시 목표를 재확인했다.
한편, 젠슨 황 엔비디아 CEO가 언급한 추론 전용 칩 ‘그록(Groq)3’의 생산 계획도 밝혀졌다.
삼성전자 평택 캠퍼스에서 생산되는 그록3는 올해 3분기 말에서 4분기 초 양산이 목표다.
해당 칩은 칩 면적의 70~80%를 S램으로 채워 외부 HBM 없이도 독자적으로 빠른 추론이 가능한 대형 다이 구조로, 이미 예상치를 상회하는 주문이 들어온 것으로 알려졌다.
황 부사장은 “그록은 엔비디아와의 협력 이전부터 삼성 파운드리의 고객이었다”며, 엔비디아 측도 제품 성능에 만족해 삼성의 생산 체제를 유지하기로 했다고 밝혔다.
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장영일 기자
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