엔비디아 젠슨 황 CEO가 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있는 모습. (좌측부터) 황상준 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 파운드리 사업부장 사장(사진 제공=삼성전자)
| 이코노미사이언스 신지원 기자 |
삼성전자는 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E 기술과 메모리 토털 솔루션을 선보이며 AI 반도체 리더십을 강조했다. 전시에서는 ‘HBM4 Hero Wall’과 ‘Nvidia Gallery’를 통해 HBM부터 파운드리, 패키징까지 아우르는 종합반도체(IDM) 경쟁력과 엔비디아와의 협력을 부각했다.
삼성전자는 AI 데이터센터, 온디바이스 AI, 피지컬 AI 등 3개 존을 구성해 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 라인업도 함께 공개했다.
특히 1c D램과 4나노 파운드리 기반의 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초 공개하며, 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 구현할 계획이라고 밝혔다. 또한 열 저항을 낮춘 차세대 패키징 기술(HCB)도 선보였다.
삼성전자는 엔비디아 차세대 ‘Vera Rubin’ 플랫폼에 탑재되는 메모리와 스토리지를 모두 공급할 수 있는 유일한 기업임을 강조했다. HBM4, SOCAMM2, PM1763 SSD 등을 통해 AI 인프라 전반을 아우르는 솔루션을 제시했다.
양사는 이번 협력을 통해 AI 인프라 전반으로 협력 범위를 확대하고, 글로벌 AI 시장에서 경쟁력을 강화해 나간다는 계획이다.
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신지원 기자
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