(왼쪽부터) 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 삼성전자 파운드리 사업부장 사장 [사진: 삼성전자]
[디지털투데이 석대건 기자] 젠슨 황 엔비디아 CEO가 미국 새너제이에서 열리는 GTC 2026 현장에서 삼성전자 부스를 직접 찾았다. 황 CEO가 이날 들여다본 삼성전자 반도체는 차세대 고대역폭메모리(HBM)부터 서버 메모리 모듈, 스토리지까지 엔비디아 차세대 인공지능(AI) 플랫폼 전 구간을 채우는 제품들이었다.
삼성전자는 젠슨 황 CEO가 삼성전자 HBM4 코어 다이 웨이퍼에 'AMAZING HBM4', 그록(Groq) LPU 파운드리 4나노 웨이퍼에 'Groq Super FAST'라고 친필 서명했다고 17일 전했다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 한진만 파운드리사업부장 사장과 기념사진도 촬영했다.
여기서 젠슨 황 CEO가 적은 그로크(Groq)는 엔비디아가 인수한 LPU(언어처리장치) 설계 기업으로, 초저지연 토큰 생성에 특화된 프로세서를 개발하고 있다. 이번 GTC에서 엔비디아는 그로크 LPU를 GPU 랙과 결합한 LPX 랙을 발표하며 올 하반기 출시를 예고했다. 황 CEO의 친필 서명은 이는 삼성전자가 HBM4 공급망과 그로크 LPU 파운드리 양쪽에서 엔비디아와 협력 관계를 맺고 있음을 공개적으로 확인한 장면으로 해석된다.
또 삼성전자가 이번 GTC에서 최초 공개한 HBM4E 역시 황 CEO가 직접 찾은 이유이도 하다. 삼성전자는 1c D램 공정과 자체 파운드리(Foundry) 4나노 기반으로 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 선보였다. 핀당 속도 16Gbps, 대역폭 4.0TB/s를 목표로 개발 중이다.
이날 삼성전자는 HBM4E와 함께 차세대 패키징 기술인 하이브리드 구리 본딩(HCB)도 공개했다. HCB는 기존 열압착 본딩(TCB) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고, 16단 이상 고적층을 지원한다. TCB가 열과 압력으로 칩을 접합하는 방식인 데 반해, HCB는 구리 접합으로 칩을 직접 연결해 발열을 줄이고 적층 한계를 끌어올린다. 삼성전자는 메모리·로직 설계·파운드리·패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM) 역량을 HBM4E 개발에 총결집한다는 계획이다.
삼성전자 GTC 2026에서 공개한 HBM4E과 HBM4E 코어 다이 웨이퍼 [사진: 삼성전자]
◆베라 루빈 전 구간 메모리 공급 가능성...GDDR7·LPDDR6도 전시
삼성전자는 이번 GTC에서 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 'Vera Rubin'용 메모리 토털 솔루션을 전면에 내세웠다. 삼성전자는 전 세계에서 유일하게 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼 내 모든 메모리·스토리지를 공급할 수 있는 업체임을 강조했다.
엔비디아와의 협력 내용이 전시된 'Nvidia Gallery' 존에는 루빈(Rubin) GPU용 HBM4, Vera CPU용 SOCAMM2, 스토리지 PM1763이 베라 루빈 플랫폼과 함께 배치됐다. SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버 메모리 모듈로 업계 최초 양산 출하를 시작한 상태다.
PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 Vera Rubin의 메인 스토리지로, 부스 현장에서는 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연해 실동작 성능을 공개했다. 삼성전자는 AI 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 새롭게 도입된 CMX 플랫폼에는 PCIe Gen5 기반 PM1753을 공급할 계획이다.
삼성전자는 이번 GTC에서 베라 루빈 솔루션 외에도 그래픽 메모리 GDDR7, 모바일 D램 LPDDR6, 서버용 SSD PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처도 폭넓게 소개했다. AI 데이터센터부터 온디바이스 AI, 피지컬 AI까지 삼성전자 메모리 포트폴리오가 AI 인프라 전 영역에 걸쳐 있음을 부각했다.
석대건 기자
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