[밸류업] 삼성전자 "110조 투자…AI 반도체 '원스톱 솔루션' 승부"

HBM·파운드리·패키징 통합…주도권 확보 총력

평택·용인·美 공장 동시 추진…생산능력 강화

HBM4 양산·엔비디아 공급망 진입…메모리 초격차

3년 FCF 50% 주주환원…배당·자사주 소각 병행

삼성전자 서초사옥 / 사진=연합

삼성전자가 110조원 이상의 대규모 투자에 나서며 인공지능(AI) 반도체 시장 주도권 확보에 나선다.

삼성전자는 19일 ‘2026년 기업가치 제고 계획’을 공시하고 AI 반도체 경쟁력 강화를 위한 투자 및 사업 전략을 공개했다.

이번 계획의 핵심은 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 ‘원스톱 솔루션’ 경쟁력 강화다. 삼성전자는 이를 기반으로 AI 반도체 시장에서 기술 주도권을 확보한다는 전략이다.

투자는 디바이스솔루션(DS) 부문을 중심으로 진행된다. 삼성전자는 올해 시설 투자와 연구개발(R&D)에 총 110조원 이상을 집행할 계획이다.

생산 인프라도 확대된다. 평택캠퍼스에서는 P4 공장의 공기 효율화 작업을 진행 중이며, P5 구축을 위한 설비 투자도 병행하고 있다.

용인 반도체 클러스터 건설과 함께 미국 텍사스 테일러에서는 3나노 이하 첨단 공정을 적용한 파운드리 공장을 연내 가동 목표로 추진 중이다.

메모리 분야에서는 고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가 제품을 중심으로 경쟁력을 강화한다. 삼성전자는 6세대 HBM4를 세계 최초로 양산 출하하고 주요 글로벌 고객사 공급망에 진입하며 시장 내 입지를 확대하고 있다.

사업 포트폴리오 재편도 추진된다. 삼성전자는 첨단로봇, 메드테크, 전장, 냉난방공조(HVAC) 등 미래 성장 분야에서 인수합병(M&A)을 통해 중장기 성장 동력을 확보할 계획이다.

주주환원 정책도 이어간다. 삼성전자는 2024~2025년 현금배당 20조9000억원과 자사주 매입·소각 8조4000억원을 집행했으며, 2026년에는 3년간 잉여현금흐름(FCF)의 50%를 기준으로 추가 환원을 추진한다. 정규 배당 규모는 약 9조8000억원이다.

2025년 배당금은 약 11조1000억원으로 전년 대비 13.2% 늘었으며 배당성향은 25.1%를 기록했다.

전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(부회장)은 전날인 18일 열린 주주총회에서 “로직부터 메모리, 파운드리, 패키징까지 ‘원스톱 솔루션’이 가능한 반도체 회사”라며 “AI 반도체 시장 주도권 확보를 위한 기술 경쟁력을 강화해 나가겠다”고 말했다.

삼성전자의 이번 계획은 AI 반도체 중심으로 사업 구조를 재편하고 글로벌 경쟁에 대응하기 위한 전략적 투자로 분석된다. 대규모 생산 인프라와 통합 설계·생산 역량을 기반으로 시장 영향력을 더욱 확대할 수 있을지 주목된다.