중국 대표 IT기업인 화웨이가 오는 2031년까지 1.4나노(nm)급 반도체를 만들어내겠다는 청사진을 공개했다.
26일 중국 반도체 업계에 따르면 허팅보 화웨이 반도체 부문 사장은 지난 25일 상하이에서 개최된 국제회로시스템학회(ISCAS)에 참석, 2031년까지 1.4 나노급 반도체를 선보이겠다고 밝혔다.
앞서 TSMC는 오는 2028년까지 1.4나노 반도체를 생산하겠다는 목표를 제시한 바 있다.
이 같은 화웨이 비전이 실현된다면 중국은 미국의 제재를 완벽하게 돌파하게 된다는 점에서 이번 화웨이 청사진에 대한 중국 반도체 업계의 관심이 집중되고 있다.
허 사장은 “지난 6년 동안 ‘어떻게 살아남아 다시 정상에 올랐느냐’는 질문을 많이 받았다”며 "새로운 기술은 반도체 제조 개념의 전환에서 비롯됐다"라고 설명했다.
그는 인텔 공동창업자 고든 무어가 제시한 ‘무어의 법칙’을 언급하며 칩 내 트랜지스터 밀도를 높여 성능을 개선하는 기존 방식 대신에 칩 내부 요소 간 통신 시간을 최적화하는 새로운 원리를 발표했다. 허 사장은 이를 '무어의 법칙'이 아닌 '타우의 법칙'이라고 명명했다.
타우의 법칙을 적용하면 EUV(극자외선) 노광기 없이도 트랜지스터의 고밀도 집적을 이뤄낼 수 있다.
미국은 EUV 장비의 중국 수출을 2019년부터 금지하고 있다. 그동안 화웨이는 EUV 장비 없이 고밀도 집적을 이뤄내는 방법을 연구해 온 것으로 알려지고 있다.
허 사장은 “우리가 개발한 솔루션은 실현 가능하고 비용도 감당할 수 있다"라며 "새로운 칩의 성능은 다른 경로로 만든 칩과 충분히 경쟁할 수 있다"라고 자신했다.
그는 이어 "올해 가을 출시될 예정인 AP(애플리케이션프로세서)인 기린(Kirin) 칩은 처음으로 타우의 법칙을 적용했다"면서 "적층(로직폴딩)이 트랜지스터 수를 늘리고 데이터 전송 속도를 최적화함으로써 칩 성능을 향상시킬 수 있다"라고 설명했다. 허 사장은 "올해 우리(화웨이)는 반도체 업계 전체를 놀라게 할 수 있는 것을 준비했다"면서 이는 연속적 발전이 아니라 큰 도약이라고 덧붙였다.
허 사장은 그러면서 "향후 5년 내에 현재 주류공법이 적용된 1.4나노 반도체에 상당한 칩을 설계하고 생산하게 될 것"이라고 덧붙였다.
이번 화웨이 발표와 관련, 중국 반도체 업계는 중국 반도체 산업이 첨단 리소그래픽 기술 한계로 어려움에 겪어왔지만 앞으로 상황이 달라질 수 있다는 기대감이 표명하고 있다.
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