SK하이닉스는 미국 캘리포니아주 새너제이에서 16일(현지시간) 개막한 엔비디아의 연례 개발자 회의 'GTC 2026'에서 'AI 메모리 스포트라이트'를 주제로 한 전시 공간을 공개했다고 17일 밝혔다. 사진은 SK하이닉스 고대역폭메모리(HBM)4의 16단 내부 구조를 보여주는 모형 전시물. [출처=SK하이닉스]
SK하이닉스가 차세대 패키징 기술인 '하이브리드 본딩'을 조기에 도입하면서 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도권 강화에 나선다. 업계에서는 이를 기반으로 2029년 8세대 HBM(HBM5) 출시가 현실화될 가능성이 크다는 전망이 나온다.
6일 시장조사업체 카운터포인트 리서치에 따르면 SK하이닉스는 어플라이드 머티리얼즈와 BE 세미컨덕터 인더스트리즈(BESI)의 통합 하이브리드 본딩 솔루션을 선제적으로 도입하면서 기술 경쟁에서 전략적 우위를 확보하고 있다. 해당 기술은 대역폭, 지연시간, 전력 효율, 처리 속도 등 AI 반도체의 핵심 성능을 동시에 개선할 수 있는 차세대 공정으로 평가된다.
현재 HBM은 열압착 본딩(TCB) 방식이 주류를 이루고 있다. 국제반도체표준협의기구인 JEDEC 기준 완화로 최대 16단 적층까지 가능해졌지만, 엔비디아 등 빅테크 기업들이 요구하는 고성능·저전력 수준을 충족하기에는 한계가 있다는 지적이 이어지고 있다.
이에 따라 주요 메모리 기업들은 HBM4 이후부터 하이브리드 본딩 도입을 본격 검토 중이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 글로벌 3사는 차세대 AI 수요 대응을 위해 해당 기술을 핵심 전환점으로 삼고 있다.
하이브리드 본딩은 칩 간 간격을 최소화하고 적층 높이를 낮춰 GPU 패키지의 물리적 제약을 줄이는 것이 특징이다. 이를 통해 더 많은 메모리를 집적하면서도 전력 효율과 데이터 처리 속도를 동시에 개선할 수 있어 차세대 AI 반도체 시대의 필수 기술로 꼽힌다.
카운터포인트 리서치는 특히 HBM5를 기점으로 하이브리드 본딩이 본격 상용화될 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 차세대 AI GPU 사이클에 맞춰 2029~2030년 HBM5를 출시할 것으로 예상된다. 조기 기술 확보가 시장 지배력 유지의 핵심 요인이 될 것이라는 분석이다.
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