SK하이닉스가 하이브리드 본딩 기술 도입과 2029년 HBM5를 출시해 HBM 시장 리더십을 유지하는 데 전략적 우위를 가질 전망이다. 사진은 SK하이닉스 청주 공장 전경. 사진=SK하이닉스
[서울와이어=양승보 기자] SK하이닉스가 하이브리드 본딩 기술을 조기 도입해 2029년 8세대 고대역폭메모리(HBM5)를 출시할 전망이다.
6일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 SK하이닉스는 차세대 인공지능(AI) 그래픽처리장치(GPU) 사이클에 맞춰 2029~2030년에 HBM5를 출시할 것으로 예상된다. 해당 시점을 기점으로 하이브리드 본딩이 본격 양산 단계에 진입해 더 높은 성능과 효율을 구현할 전망이다.
HBM은 현재 12~16개의 D램 다이를 로직 베이스 다이 위에 적층해 마이크로 범프 인터커넥트를 사용해 만들어진다. 이 방법은 신호 무결성, 전력 효율, 열 성능을 제한하는 문제가 발생한다.
문제를 해결하기 위해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들은 차세대 AI 수요 대응을 위해 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 이후부터 하이브리드 본딩 도입을 적극 추진한다. 하이브리드 본딩은 반도체 다이와 기판을 중간 재료 없이 직접 결합하는 첨단 기술이다.
다만 국제 반도체 표준화 기구(JEDEC)가 HBM 허용 높이를 상향하면 하이브리드 본딩 도입이 지연된다. 또한 화학적 기계적 평탄화(CMP) 품질에 매우 민감해 디싱, 오염, 보이드 등의 결함이 저항 증가와 수율 저하로 이어진다.
문제점도 있지만 엔비디아 같은 빅테크 기업이 더 높은 대역폭과 효율성을 요구하고 있어 하이브리드 본딩의 도입은 필수적이다.
카운터포인트리서치는 “SK하이닉스의 어플라이드 머티리얼즈와 BESI의 통합 하이브리드 본딩 장비 도입은 HBM 제조의 핵심 과제를 해결한다”며 “차세대 성능 요구에 대응하고 HBM 시장 리더십을 유지하는 데 있어 전략적 우위를 제공할 것으로 기대한다”고 밝혔다.
댓글
0