(왼쪽부터) KAIST 강대현 석박통합과정 학생, 조병진 교수 (출처: KAIST) / 2026.03.20
KAIST는 전기및전자공학부 조병진 교수 연구팀이 신소재 ‘붕소 산질화물(BON)’을 적용한 반도체 구조를 개발했다고 20일 밝혔다.
연구팀은 BON을 터널링층에 도입해 데이터 삭제 속도를 기존보다 23배 높이고, 저장 안정성도 확보했다.
이 기술은 3차원 V-낸드 메모리의 고집적화 한계를 극복할 수 있는 핵심 원천기술로 평가받는다.
BON 터널링층은 전하의 종류에 따라 에너지 장벽이 달라지는 비대칭 구조를 구현해, 데이터 삭제는 빠르게 하면서도 저장된 데이터의 유실을 막는다.
실험 결과, 반복 사용 후에도 성능 저하가 거의 없었고, 펜타 레벨 셀 동작에서도 데이터 분포 제어가 3배 이상 정밀해졌다.
조 교수는 “차세대 초고용량 메모리 제조에 바로 적용할 수 있는 독창적인 기술”이라고 의미를 부여했다.
연구결과는 반도체 분야 최고 권위 학술대회인 지난해 12월 9일 ‘국제전자소자학회(IEDM)’에서 발표됐다.
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