삼성전자가 16일(현지시각) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에서 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’ 실물을 세계 최초로 공개했다. 업계에서는 삼성전자가 이번 HBM4E 전시를 통해 차세대 AI 플랫폼인 ‘베라 루빈 울트라’에 필요한 핵심 메모리 토털 솔루션을 유일하게 공급하는 파트너로서 입지를 다졌다고 평가한다.
젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 이재용 삼성전자 회장이 2025년 10월 30일 서울 강남구 코엑스에서 열린 엔비디아 지포스 게이머 페스티벌에서 손을 맞잡고 있다. (공동취재)/ 뉴스1
삼성전자는 5세대 HBM(HBM3E)까지는 경쟁사인 SK하이닉스에 밀려 주도권을 내줬지만 6세대 HBM(HBM4)를 기점으로 역전의 발판을 마련했다. 이번에 HBM4E 실물 칩을 공개하면서 차세대 시장에서는 경쟁사 대비 기술 우위를 점하며 선두로 치고 나갈 것이란 시장의 기대감이 나온다.
기술 역전의 배경에는 삼성전자의 종합반도체기업(IDM)으로서 시너지가 핵심 역할을 했다. HBM4 양산으로 다져진 1c D램 공정과 삼성 파운드리의 4나노 베이스 다이 설계 역량이 결합돼 차별화된 제품 경쟁력을 확보했다는 삼성전자의 자체 분석이다. 삼성전자는 이를 통해 2월 HBM4를 세계 최초로 양산 출하할 수 있었다.
삼성전자의 HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 초당 4.0TB 대역폭을 구현해 업계 최고 성능을 보인다. 메모리 설계부터 파운드리 공정, 첨단 패키징까지 모든 단계를 자체적으로 수행하는 토털 솔루션을 통해 최적화된 성능을 이끌어냈다.
지난해 10월 22일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제27회 반도체 대전(SEDEX 2025)을 찾은 관람객이 삼성전자 부스에서 HBM4를 둘러보고 있다. / 뉴스1
특히 HBM4E는 엔비디아가 요구하는 ‘1TB 대용량’을 구현해야 하는 고난도 과제를 안고 있다. 기존 HBM4의 288Gb 용량과 비교하면 한 세대 만에 필요 용량이 4배나 급증하는 셈이라 기술적 진입 장벽이 매우 높은 것으로 알려져있다.
이를 달성하기 위해서는 16단 이상의 D램을 적층해야 한다. 하지만 층수가 높아질수록 공정 수율이 떨어지고 발열이 심해지는 문제가 생긴다. 삼성전자는 이를 극복하기 위해 기존 방식보다 열 저항을 20% 이상 개선한 ‘하이브리드 구리 본딩(HCB)’ 기술을 전면에 내세웠다.
엔비디아와의 협력도 한층 깊어졌다. 삼성전자는 GTC에서 베라 루빈 플랫폼에 탑재되는 HBM4와 서버용 메모리 모듈인 ‘SOCAMM2’, 고성능 SSD인 ‘PM1763’을 통합 전시했다. 세계에서 이 모든 솔루션을 한 번에 공급할 수 있는 기업은 삼성전자가 유일하다.
행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 특별 초청으로 발표를 진행한다. 송 센터장은 AI 인프라 혁신을 위한 삼성의 메모리 비전을 제시하며 양사의 협력이 단순 부품 공급을 넘어 시스템 전반으로 확대되고 있음을 강조할 예정이다.
삼성전자 관계자는 “AI 팩토리 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적이며, 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속 공급할 것”이라며 “IDM만의 강점을 활용해 고성능 HBM 시장에서 성능과 품질을 압도하는 선순환 구조를 만들겠다”고 밝혔다.
이광영 기자
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