삼성전자, 내달 중 HBM4E 샘플 생산 예고
SK하이닉스, TSMC와 3나노 공정 도입 검토
HBM4E 파운드리 공정력, 시장 성패 가를 듯
삼성전자가 지난달 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에서 공개한 7세대 HBM4E 실물 칩. 사진=삼성전자
AI 반도체 시장의 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM) 경쟁이 7세대 제품인 ‘HBM4E’로 빠르게 옮겨붙고 있다. 시장 선점을 위해 삼성전자는 공급 속도를, SK하이닉스는 완성도를 내세우며 양사의 전략적 행보가 갈리는 모습이다.
◆삼성전자, 5월 첫번째 샘플 생산 돌입
삼성전자는 HBM4E 시장에서 ‘속도’를 최우선 전략으로 내세웠다.
삼성전자는 다음달 HBM4E의 첫 번째 샘플 개발을 완료하고 본격적인 검증에 나설 것으로 알려졌다. 최근 HBM4의 업계 첫 양산 출하를 공식 발표한 데 이어 차세대 시장 선점에도 나선다.
삼성전자의 HBM4E는 핀당 최대 16Gbps의 속도를 지원하며 전체 데이터 전송 대역폭은 약 4TB/s 수준에 달한다. 이는 초당 수 테라바이트 규모의 데이터를 처리할 수 있는 성능으로 대형 AI 모델의 학습 및 추론 과정에서 발생하는 병목 현상을 획기적으로 줄여줄 것으로 관측된다.
삼성전자는 메모리와 자체 파운드리 및 로직 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 원스톱 솔루션을 제공할 방침이다. 이를 통해 내부 검증 기간을 단축하고 엔비디아 등 주요 고객사에 가장 먼저 제품을 공급해 주도권을 굳힐 것으로 보인다.
◆SK하이닉스, TSMC와 3나노 협력 강화
사진=SK하이닉스
SK하이닉스는 성능 우위 전략을 고도화한다. 연내 샘플 출하를 목표로 하되 속도 경쟁보다는 제품의 완성도와 전력 효율을 극대화하는 데 집중하고 있다.
SK하이닉스는 세계 1위 파운드리 업체인 TSMC와의 동맹을 더욱 공고히 할 전망이다. HBM4E 로직 다이에 TSMC의 최첨단 3나노(nm) 공정을 적용하는 방안을 검토 중이다. 삼성전자의 자체 파운드리 공정에 맞서 글로벌 최고 수준의 미세 공정 기술력을 기반으로 초격차를 유지하겠다는 의지로 풀이된다.
◆차세대 HBM4E, 파운드리 공정력 시험대
양사가 HBM4E 시장 선점에 적극 나서는 이유는 해당 제품이 차세대 AI 서버의 성능을 결정짓는 핵심 지표로 부상했기 때문이다.
HBM4E는 6세대인 HBM4의 확장형 모델로 이전 세대 대비 데이터 전송 폭과 속도를 대폭 끌어올리는 동시에 전력 효율을 40% 이상 개선하는 것을 목표로 한다. 특히 HBM4E는 고대역폭과 저전력을 동시에 구현해 AI 연산 효율을 결정짓는 제품으로 평가받는다.
이에 업계에서는 HBM4E가 양사의 메모리 제조 능력을 넘어 초미세 공정을 다루는 파운드리 기술력까지 입증할 수 있는 승부수가 될 것으로 보고 있다.
전자업계 관계자는 “HBM4E부터는 메모리를 넘어 파운드리 공정 기술력이 핵심”이라며 “고객사인 글로벌 빅테크 기업들이 어떤 성능과 효율을 선택하느냐에 따라 차세대 AI 메모리 시장의 주도권이 재편될 가능성이 크다”고 말했다.
파이낸셜투데이 정유라 기자
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