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사회

[컨콜] SK하이닉스 "HBM4·1cnm D램으로 AI 메모리 주도권 강화"

SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)와 10나노급 6세대(1cnm) 공정을 앞세워 AI 메모리 시장 주도권 강화에 나선다. SK하이닉스는 23일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM은 성능·수율·품질·공급 안정성을...

[컨콜] SK하이닉스 "HBM4·1cnm D램으로 AI 메모리 주도권 강화"

SK하이닉스 본사 [출처=연합]

SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)와 10나노급 6세대(1cnm) 공정을 앞세워 AI 메모리 시장 주도권 강화에 나선다.

SK하이닉스는 23일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM은 성능·수율·품질·공급 안정성을 통합한 경쟁력이 핵심"이라며 "주요 고객과 초기 단계부터 협력해 HBM4를 적기 공급할 계획"이라고 밝혔다.

회사는 향후 3년간 HBM 수요가 공급 능력을 크게 상회할 것으로 내다봤다. 이에 따라 단순 매출 확대보다 AI 생태계 전반을 고려한 공급 전략을 병행한다는 방침이다.

차세대 D램 기술도 구체화됐다. SK하이닉스는 1cnm 기반 LPDDR6를 통해 기존 대비 데이터 처리 속도와 전력 효율을 대폭 개선하고 192기가바이트(GB) 소캠(SOCAMM)2 제품 양산을 통해 고성능 컴퓨팅 시장 공략을 강화한다.

또한 컴퓨트 익스프레스 링크(Compute Express Link·CXL), 지능형반도체(PIM) 차세대 메모리 솔루션도 병행 개발하며 AI 메모리 구조 변화에 대응한다. SK하이닉스 관계자는 "AI 플랫폼 다양화에 따라 메모리 활용처가 확대되고 있다"며 "차세대 시장에서도 기술 리더십을 유지하겠다"고 강조했다.

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