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사회

와이씨켐, HBM용 신규 소재 라인 증설

반도체 공정용 화학소재 특성상 제품 간 혼용 생산이 어려워 신제품 양산을 위해서는 별도의 생산라인 구축이 필요하다. 와이씨켐은 그동안 KrF 포토레지스트(PR), 디벨로퍼, PR용 린스 등 전공정 소재를 주력으로...

와이씨켐, HBM용 신규 소재 라인 증설

와이씨켐 본사.(사진=와이씨켐)

와이씨켐이 고대역폭메모리(HBM) 공정용 소재 공장을 증설한다. 전공정 소재를 주력으로 공급해 온 와이씨켐이 후공정 패키징을 겨냥해 생산 능력을 확대하는 것은 처음이다. 고객 물량 확보를 기반으로 한 생산 설비 확대로 파악된다.

15일 업계에 따르면 와이씨켐은 신제품 수요 대응을 위해 138억1500만원을 투입해 경북 성주 산업단지 내 제5공장을 증설한다. 주요 생산 제품은 HBM용 글루클리너와 HBM용 스트리퍼다.

신설 공장은 올해 4분기부터 본격적인 양산에 돌입한다. 고객사 수요를 이미 확보해 양산 시점이 비교적 명확하다. 복수의 글로벌 주요 메모리사가 고객이다. 투자 규모를 고려할 때 연간 수백억원 규모의 신규 매출이 추가될 것으로 예상된다.

HBM 공정용 소재 공급이 본격화하면서 물량 대응을 위한 생산 능력 확대 필요성이 커진 것이 증설 이유다. 반도체 공정용 화학소재 특성상 제품 간 혼용 생산이 어려워 신제품 양산을 위해서는 별도의 생산라인 구축이 필요하다. 와이씨켐은 그동안 KrF 포토레지스트(PR), 디벨로퍼, PR용 린스 등 전공정 소재를 주력으로 공급해 왔다.

지난해 3월 와이씨켐은 신규 공장인 제5공장의 클린룸 등 설비 공사를 마치고 가동했다. 그러나 신규 양산 물량 대응에 한계가 있어 인접 부지에 추가 라인을 구축하기로 결정했다. 이번 증설로 제5공장 옆 부지에 제조동과 창고동 등 2개 동이 신설된다.

주요 생산 제품인 HBM용 글루클리너는 D램 적층 공정에서 사용되는 접착제(글루) 잔여물을 제거하는 세정 소재다. 실리콘관통전극(TSV) 공정 이후 표면을 평탄화(CMP)하는 과정에서 뒷면 가공을 위해 웨이퍼를 뒤집게 되는데, 이때 고정을 위해 용액(글루)이 사용된다. 글루클리너는 이 용액을 제거할 때 표면에 남은 미세 오염을 씻는다. 잔여물이 남을 경우 결함(디펙트)으로 이어질 수 있어, 수율에 직접적인 영향을 미치는 핵심 공정 소재다.

스트리퍼는 웨이퍼 표면에 남은 포토레지스트(PR)와 유기 잔여물을 제거하는 소재다. 와이씨켐은 기존에도 스트리퍼를 생산해 왔으나, HBM 공정에 적용되는 제품을 별도로 개발해 공급하는 것은 이번이 처음이다.

이외에도 극자외선(EUV) 공정용 소재인 네거티브 톤 레지스트(NTD)와 금속산화물 기반 포토레지스트(EUV MOR) 디벨로퍼 등의 생산도 병행한다. EUV MOR 디벨로퍼는 미국 인프리아(Inpria)가 원천 기술을 보유한 소재다. 인프리아의 라이선스를 기반으로 일본 TOK가 독점 공급해 왔다. 여기에 와이씨켐이 인프리아의 라이선스를 확보하며 공급망에 진입하게 됐다. 인프리아는 현재 MOR 디벨로퍼 라이선스를 전 세계에서 TOK, 와이씨켐 두 곳에만 부여한 것으로 알려졌다.

와이씨켐 관계자는 "HBM 공정에 적용되는 글루클리너를 중심으로 하반기 제품 양산을 준비하고 있다"며 "신규 라인을 통해 후공정 패키징 분야까지 제품 대응 범위를 확장해 나갈 계획"이라고 말했다.

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